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Revista mexicana de física
Print version ISSN 0035-001X
Abstract
ALBERTIN, K.F and PEREYRA, I. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.83-85. ISSN 0035-001X.
Son fabricados con apenas una etapa de fotolitografía transistores de capa fina de silicio amorfo utilizando, como material dieléctrico de compuerta, dióxido de silicio (SIO2), oxinitruro de silicio (SiOxNy) y nitruro de silicio (Si3N4) crecidos por PECVD. Los dispositivos son caracterizados por medio de mediciones de corriente de dreno vs voltaje de dreno y corriente de dreno vs voltaje de compuerta (Ids vs. Vds y Ids vs. Vgs)
Keywords : fotolitográfica; oxinitruro de silicio; transistores de capa fina.