A 540µT–1 silicon–based MAGFET
M.A. Dávalos–Santana, F. Sandoval–Ibarra, and E. Montoya–Suárez
CINVESTAV– Guadalajara Unit, Av. Científica 1145, Col. El Bajío, Zapopan Jalisco (México), +52 (33) 3770–3700, e–mail: sandoval@cts–design.com
Recibido el 24 de noviembre de 2006
Aceptado el 16 de abril de 2007
Abstract
This paper describes an MOS transistor–based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 µm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540/µT –1 at room temperature.
Keywords: Semiconductor devices; field effect devices; microelectronics.
Resumen
En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campos magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 µm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540/µT–1.
Descriptores: Dispositivos semiconductores; dispositivos de efecto de campo; microelectrónica.
PACS: 85.30.De; 85.30.Tv; 85.40.–e
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Acknowledgment
Authors wish to thank the anonymous reviewer for his helpful comments. MADS/EMS wishes to thank CONACyT/SEP (México) for economic support.
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