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Análisis Numérico de Pérdidas de Inserción de Conmutadores Diseñados con Diodos p–i–n

 

Numeric Analysis of the Insertion Loss in Switches Designed using the p–i–n Diodes

 

Alejandro Iturri Hinojosa, Cirilo Leon Vega, Gabriela Leija Hernández

 

ICE – ESIME Zacatenco, Instituto Politécnico Nacional, México D. F., México (e–mail: aiturri@ipn.mx, cleonv@ipn.mx, gleijah@yahoo.com.mx).

 

Manuscrito recibido el 7 de mayo del 2009.
Manuscrito aceptado para su publicación el 6 de octubre del 2009.

 

Resumen

Se presenta un análisis numérico de la pérdida de inserción de conmutadores de microondas diseñados con diodos p–i–n. Se analizan las características de resistencia serie, R_s, y la capacitancia de unión, C_j, propias del modelo de circuito equivalente de los diodos p–i–n. Así mismo, se presenta a detalle la teoría de funcionamiento de los diodos p–i–n y de los conmutadores de microondas.

Palabras Clave: Diodos p–i–n, conmutadores de microondas, pérdida de inserción.

 

Abstract

We present numeric analysis of the insertion loss in the microwave switches designed using the p–i–n diodes. We analyze the characteristics of series resistance R_s, and junction capacitance C_j that are part of the equivalent circuit model of the p–i–n diodes. Also, we present necessary background for explanation of functioning of the p–i–n diodes and microwave switches.

Key words: p–i–n diodes, microwave switches, insertion loss.

 

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AGRADECIMIENTOS

La investigación se llevó a cabo con apoyo parcial del proyecto de investigación SIP20090676 del Instituto Politécnico Nacional.

 

REFERENCIAS

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