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Revista mexicana de física
Print version ISSN 0035-001X
Rev. mex. fis. vol.56 n.3 México Jun. 2010
Investigación
Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2
Ch. Power,ª I. Molina,ª L. Chacónª y J. González, b * A. Jagui PérezKuroki,c J.C. Chervind
ª Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, 5101 Mérida, Venezuela.
b DCITIMAC Malta Consolider Team, Universidad de Cantabria, Santander, España, *email: ch_power@hotmail.com
c Hiroshima University Graduate School for International Development and Cooperation, Division of Development Science, Departament of Development Technology Kagamiyama, 151, Higashi Hiroshima, 7398529, Japan.
d Institut de Minéralogie et de Physique des Milieux Condensés, CNRS UMR 7590, Université Pierre et Marie Curie, 140 rue de Lourmel, F75015 Paris, France.
Recibido el 27 de mayo de 09
Aceptado el 31 de mayo de 2010
Resumen
En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil , asignada a la brecha fundamental de energía, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de 5.31 × l02 eVGPa1 y la transición muestra un coeficient de 9.95 × 102 eVGPa1 hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición EA, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición EB muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 × l0 3 eVGPa 2.
Descriptores: Semiconductores IIIIVI2; propiedades ópticas; infrarrojo; altas presiones.
Abstract
In this paper the spectrum of optical normal transmission not polarized of TlGaSe2 is measured as a function of pressure up to 27.6 GPa at room temperature. Our results show that in the range of the visible exist the contributions of two direct gaps of energy, which present a linear dependence with the pressure. The weak transition assigned to the fundamental gap of energy, decreases up to 1.5 GPa with a linear coefficien of 5.31 × l0 2 eVGPa1 and the transition shows a coefficien of 9.95 × 102 eVGPa1 up to 5.3 GPa (limit of pressure in the visible spectrum). The results in the infrared do not show the presence of the transition EA allowing to see only the behavior of the second transition rightly up to the pressure of metallization 24.6 GPa. In the range of pressure studied from 0.0 to 27.6 GPa, the transition EB shows a not linear behavior with the pressure of quadratic coefficien 1.83 × l0 3 eVGPa 2.
Keywords: IIIIVI2 semiconductor; optical properties; infrared; high pressure.
PACS: 74.25.Gz; 74.62.Fj 78.30.j; 78.40.Fy
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Agradecimientos
Los autores de este proyecto queremos agradecer al CDCHT de la Universidad de Los Andes, Mérida Venezuela, por su soporte financiero a través del proyecto C15700805B. Adicionalmente queremos agradecer a N. Mamedov del Osaka Prefecture University, Sakai 5998531, Japan y a S. Iida, de la Universidad de Tecnología de Nagaoka, Japón, por suministrarnos las muestras necesarias para realizar esta investigación.
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