Abstract

POUDEL, P.R. et al. Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon. Rev. mex. fis. [online]. 2010, vol.56, n.4, pp.297-301. ISSN 0035-001X.

Aunque el silicio es ópticamente inactivo, las estructuras de las partículas a nanoescala (por ejemplo, carburo de silicio) en Si o en la matriz de sílice son candidatos potenciales para aplicaciones de dispositivos emisores de luz de estado sólido con temperaturas de operación mayores. La síntesis de estas nanoestructuras implica la implantación de iones y de recocido térmico posterior. Los espesores de película y tamaños de las nanoestructuras pueden ser controladas por la energía de iones, flujo de energía y las condiciones de recocido. Una caracterizacion basada en un acelerador de partículas se utilizó en las diferentes etapas de la formación y el analísis de estos nanosistemas en Si. Los resultados se presentarán mediante espectroscopía de infrarrojos (IR), X-espectroscopía de difracción de rayos X (DRX), y espectroscopía de fotoluminiscencia (PL).

Keywords : SiC; nanosistemas; la implantación de iones; fotoluminiscencia.

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