Services on Demand
Journal
Article
Indicators
- Cited by SciELO
- Access statistics
Related links
- Similars in SciELO
Share
Revista mexicana de física
Print version ISSN 0035-001X
Abstract
LEAL-CRUZ, A.L; PECH-CANUL, M.I and DE LA PENA, J.L. A low-temperature and seedless method for producing hydrogen-free Si3N4. Rev. mex. fis. [online]. 2008, vol.54, n.3, pp.200-207. ISSN 0035-001X.
Se desarrolló un método simple y sin semillas para la síntesis de Si3N4 partiendo de un sistema de precursores libre de hidrógeno (Na2SiF6(s)-N2(g)). A partir de cálculos termodinámicos y resultados experimentales se concluye que las especies químicas gaseosas SiFx (SiF4,SiF3, SiF2, SiF and Si) formadas durante la disociación a baja temperatura del Na2SiF6 en un sistema convencional de CVD reaccionan in situ con el nitrogeno para producir Si3N4. Se obtuvieron fibras, fibras cortas discontinuas, recubrimientos y polvos a través del sistema Na2SiF6(s)-N2 a presiones ligeramente por encima de la presión atmosférica. Con el incremento en la temperatura no solo aumenta la factibilidad de las reacciones para la disociación del Na2SiF6 y formación del Si3N4, sino también una vez que se han formado las especies SiFx por la primera reacción, la segunda reacción es incluso más factible. El Si3N4 amorfo se obtiene a temperaturas de hasta 1173 K mientras que el Si3N4 cristalino α y β se forman en el rango de temperaturas de 1273-1573 K y con tiempos de procesamiento tan cortos como 120 minutos. Se determinaron las condiciones óptimas para maximizar la formación del Si3N4.
Keywords : Termodinámica; CVD; Si3N4amorfo; Si3N4α y β; precursores gas-sólido.