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Revista mexicana de física
Print version ISSN 0035-001X
Abstract
MARQUINA, J; POWER, Ch; QUINTERO, M and GONZALEZ, J. Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa2Se. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.3, pp.198-200. ISSN 0035-001X.
En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa2Se4 en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón-fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.
Keywords : Semiconductores; anarmonicidad; temperatura; dispersión inelástica de la radiación.