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Revista mexicana de física
Print version ISSN 0035-001X
Abstract
LOMBARDI, R.M; ARAGON, R and CINSO- CONICET-CITEFA. Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.11-13. ISSN 0035-001X.
Capacitores MOS con compuertas de Mo exhiben un corrimiento negativo de la característica C-V, de 240mV a 125°C, en respuesta a 1000 ppm de hidrógeno, en atmósfera controlada de nitrógeno. Se resumen los métodos experimentales para obtener capacitancia y conductancia, como función de la tensión de polarización, así como los circuitos equivalentes relevantes. La densidad de estados de interface de nivel único, en la interface dieléctrico-semiconductor, decrece desde 2.66 1011 cm-2e-v-1, en nitrógeno puro, hasta 2.5 1011cm-2 e-v-1 en 1000 ppm de mezcla de hidrógeno en nitrógeno a esta temperatura.
Keywords : Dispositivos MOS; compuerta de Mo; sensibilidad a hidrógeno.