Abstract

YEE-RENDON, C.M.; LOPEZ-LOPEZ, M.  and  MELENDEZ-LIRA, M.. Influence of indium segregation on the light emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.2, pp.193-199. ISSN 0035-001X.

Se crecieron pozos cuánticos pseudomórficos de InGaAs/GaAs por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de GaAs orientados en la dirección (11n), n=1,2,3,4. Se estudiaron las propiedades ópticas y estructurales por medio de fotoluminiscencia (FL) a 14, 77 y 300 K, y microscopia de fuerza atómica (MFA). La emisión de los pozos cuánticos tiene dos contribuciones, un corrimiento hacia el color azul debido al esfuerzo compresivo al que esta sujeto la heteroestructura y un corrimiento hacia el rojo debido al efecto Stark cuántico producido por el campo piezoeléctrico presente en estos materiales. Para explicar satisfactoriamente la energía de emisión de los pozos cuánticos proponemos incluir efectos de segregación de In en la interfaz de los pozos cuánticos. Implementamos el método de la matriz de transferencia para resolver numéricamente la ecuación de Schrödinger incluyendo los efectos de la segregación en el potencial de los pozos. Con la inclusión de los efectos de segregación en los cálculos de la emisión, las predicciones teóricas reproducen muy bien los resultados de FL.

Keywords : Pozos cuánticos; campo piezoeléctrico; segregación de Indio.

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