Abstract

COTZOMI-PALETA, J.; COCOLETZI, G.H.  and  TAKEUCHI, N.. Estructura (4x3) inducida por la adsorción de los metales del grupo III sobre la superficie (001) del silicio. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.6, pp.506-510. ISSN 0035-001X.

Se hace un estudio comparativo de la estructura (4x3) inducida por la adsorción de los metales del grupo III (In, Al y Ga) sobre la superficie Si(001) mediante cálculos de primeros principios de la energía total. El estudio corresponde al depósito de los metales a altas temperaturas. Se han empleado diferentes modelos para investigar las reconstrucciones, encontrándose que el propuesto por Bunk et al. produce las configuraciones más estables para cada uno de los casos. Las estructuras muestran sub-unidades del metal cuya forma es piramidal, con un trímero en la parte más alta. El trímero se compone de un átomo de Si que ocupa la posición vertical más alta y enlazado a dos átomos del metal con posiciones verticales más bajas. En el caso de In, las ligaduras obtenidas de acuerdo con el modelo de Bunk son muy similares a la suma de radios covalentes, indicando que los átomos se encuentran en un ambiente muy favorable. Esto no sucede en los casos de Al y Ga, lo que puede explicar el resultado experimental de que para recubrimiento total la estructura estable de In sobre Si(001) sigue siendo la (4x3), mientras que para Ga y Al cambian a (8 x 5) y c(4 x 2n), respectivamente.

Keywords : Superficie semiconductora; primeros principios; Si; Ga; In; Al.

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