Resumo

DAVALOS-SANTANA, M.A.; SANDOVAL-IBARRA, F  e  MONTOYA-SUAREZ, E. A 540µT^-1 silicon-based MAGFET. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, n.3, pp.218-221. ISSN 0035-001X.

En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campos magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 µm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa S_r=540/µT^-1.

Palavras-chave : Dispositivos semiconductores; dispositivos de efecto de campo; microelectrónica.

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