Abstract

ALVAREZ, F.  and  VALLADARES, A. A.. The atomic and electronic structure of amorphous silicon nitride. Rev. mex. fis. [online]. 2002, vol.48, n.6, pp.528-533. ISSN 0035-001X.

Utilizando un enfoque innovador ab initio para la generación de redes estocásticas, hemos construido dos muestras casi estequiométricas de nitruro de silico amorfo con el mismo contenido x=1.29. Las dos celdas de 64 átomos, cúbicas tipo diamante, con condiciones periódicas, contienen 28 silicios y 36 nitrógenos substituidos al azar y fueron amortizadas con un time step de 6 fs calentándolas hasta una temperatura justo abajo de la de fusión, con un código de dinámica molecular, en la aproximación LDA, basado en la funcional de Harris. La función de distribución radial (RDF) total obtenida se compara con simulaciones clásicas que utilizan potenciales tipo Tersoff y con el experimento; las nuestras concuerdan con el experimento. Se calculan todas las características radiales parciales; la composición del segundo pico concuerda también con el experimento. La estructura electrónica también se calcula y las brechas (ópticas obtenidas, utilizando tanto un enfoque HOMO-LUMO, como el procedimiento tipo Tauc que desarrollaremos recientemente, dan brechas razonables.

Keywords : Semiconductores amorfos; funciones de distribución radial; nitruro de silicio amorfo.

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