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Superficies y vacío
versión impresa ISSN 1665-3521
Superf. vacío vol.18 no.2 Ciudad de México jun. 2005
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Photoluminescence and cathodoluminescence characteristics of SiO2 and SRO films implanted with Si
*Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores. Instituto de Ciencias (ICUAP). Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. A. P. 1651, Puebla, Puebla. 72000. México.
**Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Puebla, México.
***Centro Nacional de Microelectrónica, Bellaterra. España.
****Departamento de Física. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México D.F. México.
Silicon rich oxide films (SRO) were obtained by silicon implantation in silicon dioxide and PE - LPCVD techniques. Also, PECVD and LPCVD SRO films were implanted with silicon to get super-enriched SRO. Photo- and Cathodo- Luminescence (PL and CL) studies of these materials are presented. All the samples show similar bands related with an excess of silicon, but with different behavior in the intensity of the signal. PL results from silicon implanted LPCVD films show an emission stronger than the emission from the other films under study. The strongest PL intensity is related with an optimum annealing time and an optimum silicon excess, and consequently with an optimum size of the nanocrystals.
Keywords: Silicon rich oxide; Photoluminescence; Nanocrystals
Se obtienen películas de oxido rico en silicio (SRO) por implantación de silicio en dióxido de silicio y por técnicas PE-LPCVD. También las películas PECVD y LPCVD se implantan con silicio para obtener SRO uperenriquecido. Se presentan estudios de Foto y Cátodoluminiscencia (Pl y CL) de estos materiales. Todas las muestras muestran bandas similares relacionadas cpon un exceso de silicio, pero con diferente comportamiento en la intensidad de la señal. Los resultados de PL de las películas LPCVD implantadas con silicio muestran una emisión más intensa que la emisión de las otras pelçículas bajo estudio. La mayor intensidad de luminiscencia está relacionada con un tiempo de aleación óptimo y con un exceso de silicio óptimo, y consecuentemente con tamaño óptimo de los nanocristales.
Palabras clave: Oxido rico en silicio; Fotoluminiscencia; Nanocristales
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Received: November 14, 2004; Accepted: May 13, 2005
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