Resumo

OTALORA B., D.M.; OLAYA FLOREZ, J.J.  e  DUSSAN, A.. Microestructura y propiedades eléctricas de bismuto y óxido de bismuto depositados por magnetrón sputtering UBM. Rev. mex. fis. [online]. 2015, vol.61, n.2, pp.105-111. ISSN 0035-001X.

En este trabajo, se fabricaron películas delgadas de Bismuto (Bi) y (Oxido de Bismuto (Bi₂O₃) a temperatura ambiente mediante la técnica de Sputtering con Magnetron Desbalanceado (UBM - UnBalance Magnetron) sobre sustratos de vidrio. Las propiedades microestructurales y eléctricas de las muestras fueron estudiadas mediante difracción de rayos X (XRD) y el método para Medición de Propiedades Físicas - PPMS (Physical Property Measurement System), respectivamente. La resistividad a oscuras del material fue medida para un rango de temperaturas entre 100 y 400 K. A partir de las medidas de XRD se observe) el carácter policristalino del Bi asociado a la presencia de fases por encima del pico principal, 2θ=26.42° y un crecimiento gobernado por una estructura Romboédrica. Los parámetros cristalinos fueron obtenidos para ambos compuestos de Bi y Bi₂O₃. A partir de los análisis de los espectros de la conductividad en función de la temperatura se estableció que el mecanismo de transporte que gobierna la región de altas temperaturas (T>300 K) es el de portadores térmicamente activados. A partir de las medidas de conductividad se encontró que las energías de activación para el Bi₂O₃ y Bi fueron de 0.0094 y 0.015 eV, respectivamente.

Palavras-chave : Bismuto; óxido de bismuto; propiedades eléctricas; propiedades estructurales.

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