GALVAN-ARELLANO, M. et al. Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V. Superf. vacío []. 2005, 18, 3, pp.13-16. ISSN 1665-3521.

Se reporta el desarrollo de una metodología para formar contactos ohmicos en GaSb y GaAs con barrera de difusión de paladio. Se presentan resultados del estudio de las superficies semiconductoras durante la fase de limpieza, y previo al depósito de las aleaciones metálicas de contacto. Se describe la metodología para depositar películas de Pd sobre GaSb y GaAs. Se demuestra la acción de las películas de paladio como barrera de difusión por los resultados del análisis de composición química por espectroscopia de iones secundarios (SIMS) en la estructura semiconductor/paladio/aleación-metálica.

: SIMS; AFM; Contactos ohmicos; Paladio; Barreras de difusión; Semiconductores III-V; GaAs; GaSb.

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