NOVEROLA GAMAS, H.; MARTINEZ SOLIS, F.    OUBRAM, O.. Efectos del desorden estructural sobre el cambio en el índice de refracción de un sistema δ-dopado simple en GaAs. Rev. mex. fis. []. 2024, 70, 4, e041001.   12--2025. ISSN 0035-001X.  https://doi.org/10.31349/revmexfis.70.041001.

Partiendo de la teoría de masa efectiva y el modelo de Thomas-Fermi (TF) se ha establecido el perfil de potencial para un sistema tipo delta-dopado simple en Arseniuro de Galio (GaAs) tipo n. Resolviendo la ecuación de Schrödinger asociada al sistema, se han calculado los autovalores y las autofunciones del perfil de potencial, determinando así su estructura electrónica. Con ayuda de la teoría de Matriz Densidad se ha determinado el cambio en el índice de refracción (CIR) lineal y no lineal del sistema. De tal manera que, añadiendo un término de desorden en el sistema (ζ), es posible calcular numéricamente los cambios en la estructura electrónica y las propiedades ópticas no lineales. Se ha determinado que con valores de ζ alrededor del 10% asociado a la densidad de impurezas (N 2D), el cambio en el índice de refracción lineal y no lineal no sufre cambios significativos. Por otro lado, cuando se incrementa el desorden en la densidad de impurezas introducidas en el material semiconductor, el comportamiento de la propiedad óptica se pierde por completo. Finalmente, notamos que al introducir desorden en la intensidad del laser, la propiedad óptica no sufre cambios. El presente estudio teórico podría predecir el efecto del desorden estructural sobre el comportamiento del CIR en los dispositivos basados en delta dopados al momento de su síntesis.

: Dopaje delta; óptica no lineal; arseniuro de galio; desorden estructural; cambio en el índice de refracción.

        ·     ·     · ( pdf )