53 3Ion beam analysis of CH/Si layers deposited by ECR-CVDUse of the associated particle technique for the measurement of neutron cross sections at small angles 
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Revista mexicana de física

 ISSN 0035-001X

LEPY, M.C    PLAGNARD, J. Development of low-energy X-ray spectrometry at the Laboratoire National Henri Becquerel. Rev. mex. fis. []. 2007, 53, 3, pp.68-73. ISSN 0035-001X.

El instituto francés de metrología, Laboratoire National Henri Becquerel, realiza la caracterización exacta de los detectores a semiconductor que son utilizados en numerosas funciones. La calibración del rendimiento, la resolución en energía y la forma detallada de la "función respuesta" de estos detectores, son parámetros de interés para el tratamiento exacto de los espectros de rayos X de baja energía. Estos espectros, son aplicados a la identificación de los elementos y a la investigación fundamental. Las herramientas desarrolladas específicamente para calibración y caracterización de los detectores de rayos X de baja energía son descritos: del uso del estándar de la radioactividad al desarrollo de una fuente monocromática de rayos X.

: Espectrometroía de rayos X; detector a semiconductor; calibración; metrología.

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