56 3Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin filmsBEC transition of a weakly interacting ultracold Bose gas in a linear quadrupolar trap 
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Revista mexicana de física

 ISSN 0035-001X

POWER, Ch. et al. Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2. Rev. mex. fis. []. 2010, 56, 3, pp.217-222. ISSN 0035-001X.

En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil , asignada a la brecha fundamental de energía, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de -5.31 × l0-2 eVGPa-1 y la transición muestra un coeficient de -9.95 × 10-2 eVGPa-1 hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición EA, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición EB muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 × l0 -3 eVGPa -2.

: Semiconductores I-III-VI2; propiedades ópticas; infrarrojo; altas presiones.

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