Resumo

SAAVEDRA-GOMEZ, H. J. et al. A simple de-embedding method for on-wafer RF CMOS FET using two microstrip lines. Rev. mex. fis. [online]. 2013, vol.59, n.6, pp.570-576. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se presenta un método para desincrustar transistores CMOS de efecto de campo embebidos en pads simétricos y recíprocos. El método de desincrustación propuesto utiliza como estándares de calibración dos líneas de microcinta, fabricadas sobre un substrato de Si con pérdidas. El método propuesto no solo permite la caracterización de las líneas de interconexión sino también de los pads CMOS. Los resultados experimentales demuestran que una simple admitancia no es la manera apropiada para modelar los pads CMOS. Se comparan datos experimentales de parámetros S de transistores de efecto de campo CMOS en oblea desincrustados con el método propuesto L-L, el de Mangan y el Pad-Open-Short De-embededded (PSOD). Los datos de los parámetros S desincrustados con los métodos PSOD y el propuesto muestran una alta correlación, validando el método de desincrustación que se reporta en este trabajo.

Palavras-chave : Mediciones eléctricas; circuitos de microondas; dispositivos de efecto de campo; técnica de alta velocidad.

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