Resumo

VOROBETS, M.O. Effect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontacts. Rev. mex. fis. [online]. 2010, vol.56, n.6, pp.441-444. ISSN 0035-001X.

Se formaron estructuras barreras usando contactos ópticas entre dos semiconductores de GaSe y InSe. El efecto de la presión mecánico desde 0 hasta 100 kPa sobre las propiedades eléctricas de los heterocontactos de GaSe/InSe fue investigado. Los resultados son analizados considerando el modelo de semiconductor - aislador - semiconductor. Utilizando este modelo, explicamos las características corriente - voltaje. Se encontró que la modificación de heterofrontera afectan significativamente el transporte eléctrico.

Palavras-chave : Semiconductores; heteroestructuras; propiedades eléctricas.

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