Resumen

GONZALEZ-ROLON, B  y  IRETA-MORENO, F. Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V. Ing. invest. y tecnol. [online]. 2011, vol.12, n.2, pp.149-155. ISSN 2594-0732.

El proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 V a 34 000 V de ZnO consistió en dopar con Sb2O3, Bi2O3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de Sb2O3/Bi2O3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150°C ± 2°C. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica I-V. Las características eléctricas son discutidas.

Palabras llave : varistor; ZnO; microstructura; dopante; propiedades eléctricas; tamaño de grano.

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