URBANO ALTAMIRANO, F.; TITOV, O. Yu.    GUREVICH, Yu. G.. Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio. []. , 66, 5, pp.559-567.   31--2022. ISSN 0035-001X.  https://doi.org/10.31349/revmexfis.66.559.

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En este artículo se analiza el comportamiento de los portadores de carga eléctrica (electrones y huecos) en un material semiconductor con contactos metálicos bajo la condición de equilibrio termodinámico. Se obtuvieron expresiones para las concentraciones de los electrones y huecos, así como para el Radio de Debye (r D ) tanto en el caso general bipolar, como para los casos particulares de materiales tipo n,p e intrínseco. Con base a las expresiones anteriores se analiza el caso cuando aparece el fenómeno de cuasineutralidad en un material semiconductor.

This article analyzes the behavior of electric charge carriers (electrons and holes) in a semiconductor material with metal contacts under the thermodynamic equilibrium condition. Expressions were obtained for the concentrations of the electrons and holes, as well as for the Debye Radius (r D ) both in the general bipolar case, and in the particular cases of n,p and intrinsic type materials. Based on the previous expressions, the case is analyzed when the quasi-neutrality phenomenon appears in a semiconductor material.

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