VOROBETS, M.O. Effect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontacts. []. , 56, 6, pp.441-444. ISSN 0035-001X.

^len^aBarrier structures were produced using optical contact between the indium and gallium selenides. The effect of mechanical pressure ranging from 0 to 100 kPa on the electrical properties of the GaSe/InSe heterocontacts was investigated. The data was analyzed assuming the SIS (semiconductor - insulator - semiconductor) model. Using this model we were able to explain the current - voltage dependence. It was found that the modification of heteroboundary significantly affects the electric transport.^les^aSe formaron estructuras barreras usando contactos ópticas entre dos semiconductores de GaSe y InSe. El efecto de la presión mecánico desde 0 hasta 100 kPa sobre las propiedades eléctricas de los heterocontactos de GaSe/InSe fue investigado. Los resultados son analizados considerando el modelo de semiconductor - aislador - semiconductor. Utilizando este modelo, explicamos las características corriente - voltaje. Se encontró que la modificación de heterofrontera afectan significativamente el transporte eléctrico.

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