<?xml version="1.0" encoding="ISO-8859-1"?><article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">
<front>
<journal-meta>
<journal-id>1665-3521</journal-id>
<journal-title><![CDATA[Superficies y vacío]]></journal-title>
<abbrev-journal-title><![CDATA[Superf. vacío]]></abbrev-journal-title>
<issn>1665-3521</issn>
<publisher>
<publisher-name><![CDATA[Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.]]></publisher-name>
</publisher>
</journal-meta>
<article-meta>
<article-id>S1665-35212012000300009</article-id>
<title-group>
<article-title xml:lang="es"><![CDATA[Efecto de un agente compatibilizador sobre partículas de BaTiO3 dopadas con itrio en el comportamiento dieléctrico de compósitos de hule silicón]]></article-title>
</title-group>
<contrib-group>
<contrib contrib-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Paredes-Olguín]]></surname>
<given-names><![CDATA[M.]]></given-names>
</name>
<xref ref-type="aff" rid="A01"/>
</contrib>
<contrib contrib-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Gómez-Yáñez]]></surname>
<given-names><![CDATA[C.]]></given-names>
</name>
<xref ref-type="aff" rid="A01"/>
</contrib>
<contrib contrib-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Espino-Cortés]]></surname>
<given-names><![CDATA[F. P.]]></given-names>
</name>
<xref ref-type="aff" rid="A02"/>
</contrib>
</contrib-group>
<aff id="A01">
<institution><![CDATA[,Instituto Politécnico Nacional Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas Departamento de Ingeniería en Metalurgia y Materiales]]></institution>
<addr-line><![CDATA[Ciudad de México ]]></addr-line>
<country>México</country>
</aff>
<aff id="A02">
<institution><![CDATA[,Instituto Politécnico Nacional Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Sección de Estudios de Posgrado e Investigación]]></institution>
<addr-line><![CDATA[Ciudad de México ]]></addr-line>
<country>México</country>
</aff>
<pub-date pub-type="pub">
<day>00</day>
<month>09</month>
<year>2012</year>
</pub-date>
<pub-date pub-type="epub">
<day>00</day>
<month>09</month>
<year>2012</year>
</pub-date>
<volume>25</volume>
<numero>3</numero>
<fpage>188</fpage>
<lpage>193</lpage>
<copyright-statement/>
<copyright-year/>
<self-uri xlink:href="http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&amp;pid=S1665-35212012000300009&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_abstract&amp;pid=S1665-35212012000300009&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_pdf&amp;pid=S1665-35212012000300009&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><abstract abstract-type="short" xml:lang="es"><p><![CDATA[En este trabajo se estudia el efecto compatibilizador de cuatro diferentes ácidos carboxílicos en el comportamiento dieléctrico de compósitos polímero/cerámicos. Se utiliza polvo de BaTiO3 puro y dopado con itrio como relleno de compósitos de hule silicón RTV. Se encontró que el ácido esteárico funcionaliza eficientemente la superficie del cerámico elevando su constante dieléctrica, manteniendo en buen nivel su pérdida dieléctrica y disminuyendo su conductividad eléctrica. Finalmente, se simuló el campo eléctrico en una boquilla de transformador cuyo recubrimiento está hecho con los compósitos elaborados. Se encontró que la acción conjunta de la permitividad mejorada del compósito, la funcionalización de su relleno e incluso un ligero rediseño del aislador en zonas conflictivas puede lograr un mejor desempeño por más tiempo.]]></p></abstract>
<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[This paper studies the compatibilizing effect of four different carboxylic acids in the dielectric behavior of polymer/ceramic composites. Pure and yttrium doped BaTiO3 powder is used as filler of RTV silicone rubber composites. It was found that stearic acid efficiently functionalized the ceramic surface maintaining in good level its dielectric constant and lowering its dielectric loss and electrical conductivity. The composites made with this filler also have improved dielectric properties which are desirable due to electrical insulation applications that will give the composite. Finally, simulations of the electric field in a transformer bushing whose coating is made of these composites were made. It was found that the joint action of the improved permittivity of the composites produced, the functionalization of the filler and even a slight redesign of the insulator in conflict zones could achieve much better performance for longer.]]></p></abstract>
<kwd-group>
<kwd lng="es"><![CDATA[Ácido esteárico]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[Agente compatibilizador]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[BaTiO3 dopado con itrio]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[Compósitos polímero-cerámico]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[Aislamiento exterior]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[Stearic acid]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[Compatibilizing agent]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[Doped yttrium BaTiO3]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[Polymer-ceramic composite]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[Outdoor insulation]]></kwd>
</kwd-group>
</article-meta>
</front><body><![CDATA[ <p align="center"><font face="Verdana" size="4"><b>Efecto de un agente compatibilizador sobre part&iacute;culas de BaTiO<sub>3</sub> dopadas con itrio en el comportamiento diel&eacute;ctrico de comp&oacute;sitos de hule silic&oacute;n</b></font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><b>Paredes&#45;Olgu&iacute;n M., G&oacute;mez&#45;Y&aacute;&ntilde;ez C.</b>    <br> <i>Departamento de Ingenier&iacute;a en Metalurgia y Materiales, ESIQIE &#150; Zacatenco Instituto Polit&eacute;cnico Nacional, Ciudad de M&eacute;xico 07738, M&eacute;xico.</i></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><b>Espino&#45;Cort&eacute;s F. P.</b>    <br><i>Departamento de Ingenier&iacute;a El&eacute;ctrica, SEPI&#45;ESIME &#150; Zacatenco Instituto Polit&eacute;cnico Nacional, Ciudad de M&eacute;xico 07738, M&eacute;xico.</i></font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Recibido: 17 de diciembre de 2011    <br>Aceptado: 12 de abril de 2012</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Resumen</b></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En este trabajo se estudia el efecto compatibilizador de cuatro diferentes &aacute;cidos carbox&iacute;licos en el comportamiento diel&eacute;ctrico de comp&oacute;sitos pol&iacute;mero/cer&aacute;micos. Se utiliza polvo de BaTiO<sub>3</sub> puro y dopado con itrio como relleno de comp&oacute;sitos de hule silic&oacute;n RTV. Se encontr&oacute; que el &aacute;cido este&aacute;rico funcionaliza eficientemente la superficie del cer&aacute;mico elevando su constante diel&eacute;ctrica, manteniendo en buen nivel su p&eacute;rdida diel&eacute;ctrica y disminuyendo su conductividad el&eacute;ctrica. Finalmente, se simul&oacute; el campo el&eacute;ctrico en una boquilla de transformador cuyo recubrimiento est&aacute; hecho con los comp&oacute;sitos elaborados. Se encontr&oacute; que la acci&oacute;n conjunta de la permitividad mejorada del comp&oacute;sito, la funcionalizaci&oacute;n de su relleno e incluso un ligero redise&ntilde;o del aislador en zonas conflictivas puede lograr un mejor desempe&ntilde;o por m&aacute;s tiempo.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Palabras Clave:</b> &Aacute;cido este&aacute;rico; Agente compatibilizador; BaTiO<sub>3</sub> dopado con itrio; Comp&oacute;sitos pol&iacute;mero&#45;cer&aacute;mico; Aislamiento exterior.</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Abstract</b></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">This paper studies the compatibilizing effect of four different carboxylic acids in the dielectric behavior of polymer/ceramic composites. Pure and yttrium doped BaTiO<sub>3</sub> powder is used as filler of RTV silicone rubber composites. It was found that stearic acid efficiently functionalized the ceramic surface maintaining in good level its dielectric constant and lowering its dielectric loss and electrical conductivity. The composites made with this filler also have improved dielectric properties which are desirable due to electrical insulation applications that will give the composite. Finally, simulations of the electric field in a transformer bushing whose coating is made of these composites were made. It was found that the joint action of the improved permittivity of the composites produced, the functionalization of the filler and even a slight redesign of the insulator in conflict zones could achieve much better performance for longer.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Keywords:</b> Stearic acid; Compatibilizing agent; Doped yttrium BaTiO<sub>3</sub>; Polymer&#45;ceramic composite; Outdoor insulation.</font></p>     <p align="justify">&nbsp;</p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>1. Introducci&oacute;n</b></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Numerosas investigaciones han explorado la adici&oacute;n de rellenos nano y microm&eacute;tricos a materiales diel&eacute;ctricos s&oacute;lidos para formar comp&oacute;sitos aplicados a aislamiento el&eacute;ctrico de alta tensi&oacute;n. En especial, el r&aacute;pido crecimiento de la industria electr&oacute;nica demanda el desarrollo de materiales comp&oacute;sitos que combinen altos valores de constante diel&eacute;ctrica (<i>k</i>) intr&iacute;nsecos de los cer&aacute;micos ferroel&eacute;ctricos, con la facilidad del procesado de los pol&iacute;meros &#91;1, 2&#93;. Sin embargo, si las cargas de relleno de esos comp&oacute;sitos tienden a exceder un 50% vol., el procesado de los comp&oacute;sitos se torna m&aacute;s dif&iacute;cil debido a su viscosidad extremadamente alta. Una t&eacute;cnica para solucionar este problema es modificar la superficie del relleno mediante un surfactante o agente compatibilizador. No obstante, esta modificaci&oacute;n del relleno puede tener efectos indeseables en las propiedades diel&eacute;ctricas y mec&aacute;nicas de los comp&oacute;sitos &#91;3&#93;. En pocos casos la <i>k</i> de un pol&iacute;mero puro excede un valor de 10, as&iacute; que para incrementar su constante diel&eacute;ctrica se adicionan polvos cer&aacute;micos de alta <i>k</i> tal como titanato de bario (BaTiO<sub>3</sub>=BT). Sin embargo, a&uacute;n con una carga m&aacute;xima de relleno ferroel&eacute;ctrico los comp&oacute;sitos rara vez exceden un valor de 100 debido a que este tipo de materiales compuestos siguen una relaci&oacute;n exponencial entre su <i>k</i> y la fracci&oacute;n volum&eacute;trica del relleno (<i>v<sub>r</sub></i>) en el cer&aacute;mico. La permitividad relativa de los comp&oacute;sitos <i>k<sub>c</sub></i> se puede calcular con la ecuaci&oacute;n logar&iacute;tmica de Lichtenecker &#91;4&#93;:</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="Verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9e1.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Donde <i>c</i> es una constante ajustada y <i>k<sub>p</sub></i> y <i>k<sub>r</sub></i> son las constantes diel&eacute;ctricas del pol&iacute;mero y del cer&aacute;mico puro respectivamente. Para comp&oacute;sitos bien dispersos se ha reportado un valor <i>c</i> de 0.3 &#91;5&#93;. En trabajos previos &#91;6&#93; se reporta que los comp&oacute;sitos con relleno de BT cuya superficie no ha sido funcionalizada por un compatibilizador tienden a presentar bajos valores de <i>k</i>. Esto puede deberse a una dispersi&oacute;n poco homog&eacute;nea del relleno cer&aacute;mico en el silic&oacute;n y/o a que el BT captura humedad del medio ambiente originando un efecto despolarizador del relleno dentro de la matriz de silic&oacute;n. Tambi&eacute;n se ha reportado que la <i>k</i> del comp&oacute;sito se incrementa secando al vac&iacute;o el relleno antes de integrarlo a la matriz &#91;3&#93;. En este trabajo se pretende mejorar el acoplamiento entre el relleno cer&aacute;mico y la matriz polim&eacute;rica creando alg&uacute;n enlace qu&iacute;mico o f&iacute;sico entre ambos mediante la funcionalizaci&oacute;n del relleno de BT con agentes surfactantes que en este caso ser&aacute;n 4 diferentes &aacute;cidos carbox&iacute;licos (<i>AC</i>) cuya estructura b&aacute;sica se muestra en la <a href="#f1">Fig. 1</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f1"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f1.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Este tipo de mol&eacute;culas presentan en uno de sus extremos una cabeza polar constitu&iacute;da por un grupo carboxilo (CO<sub>2</sub>H), que tiende a adsorberse al cer&aacute;mico, y en el otro extremo una cadena hidrof&oacute;bica <i>R</i> de carbonos terminadas en un grupo metilo (CH<sub>3</sub>). Estas cadenas poseen diferentes longitudes y baja polaridad (sobre todo si la cadena es larga) por lo cual son altamente afines a entrecruzarse en la red de siloxanos de la matriz de silic&oacute;n &#91;7&#93;. Los &aacute;cidos de cadena larga favorecen la creaci&oacute;n de monocapas altamente ordenadas que se auto&#45;ensamblan sobre part&iacute;culas met&aacute;licas y &oacute;xidos. La conveniencia de que se forme una pel&iacute;cula delgada de estos &aacute;cidos sobre una superficie (<a href="#f2">Fig. 2</a>) es la estabilidad que origina entre las dos fases debido a fuertes enlaces f&iacute;sicos y qu&iacute;micos &#91;8&#93;.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f2"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f2.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En este trabajo se fabricaron comp&oacute;sitos pol&iacute;mericos de hule silic&oacute;n RTV con diferentes cargas de relleno cer&aacute;mico de BT con conectividad de tipo 0&#45;3 (i.e. comp&oacute;sitos donde las part&iacute;culas de relleno est&aacute;n distribuidas aleatoriamente en la matriz de pol&iacute;mero). Posteriormente este relleno de BT fue modificado superficialmente por cuatro diferentes &aacute;cidos carbox&iacute;licos: &aacute;cido este&aacute;rico CH<sub>3</sub>(CH<sub>2</sub>)<sub>16</sub>COOH, (<i>AE</i>), &aacute;cido l&aacute;urico CH<sub>3</sub>(CH<sub>2</sub>)<sub>10</sub>COOH (<i>AL</i>), &aacute;cido oleico CH<sub>3</sub>(CH<sub>2</sub>)<sub>7</sub>CH=CH(CH<sub>2</sub>)<sub>7</sub>COOH (<i>AO</i>) y &aacute;cido etilendiaminotetraac&eacute;tico (EDTA) (CH<sub>2</sub>N)<sub>2</sub>(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>(COOH)<sub>4</sub>. El AO tiene s&oacute;lo un doble enlace en su cadena y el EDTA es un caso especial pues presenta una estructura m&aacute;s compleja que los dem&aacute;s AC ya que posee cuatro grupos carboxilo y dos grupos amino. Se estudiaron los efectos en las propiedades diel&eacute;ctricas de los comp&oacute;sitos al modificar la superficie del BT. En este trabajo tambi&eacute;n se reporta el efecto que produce introducir part&iacute;culas de BT dopadas con itrio (<i>BTY</i>) las cuales son materiales con una <i>k</i> extremadamente alta. Se espera que la acci&oacute;n conjunta del relleno cer&aacute;mico de alta permitividad y la funcionalizaci&oacute;n de su superficie permita obtener comp&oacute;sitos con una <i>k</i> alta pero bajo porcentaje en volumen de relleno.</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>2. Procedimiento experimental</b></font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se elaboraron comp&oacute;sitos con un contenido de relleno de BT (<i>k</i>=1470) desde 0% vol. hasta 50% vol. para hacer un estudio de la <i>k</i> final del material obtenido seg&uacute;n la carga de BT adicionada. Los comp&oacute;sitos se prepararon con hule silic&oacute;n RTV&#45;615 de dos partes (viscosidad de 43 poises, <i>k</i>=2.7 y &#961; =1.8x10<sup>15</sup>&#937;cm). La parte <i>A</i> (<i>RTV&#45;A</i>) corresponde al mon&oacute;mero y la parte<i> B</i> (<i>RTV&#45;B</i>) al agente entrecruzante. Se utiliz&oacute; n&#45;hexano (C<sub>6</sub>H<sub>14</sub> A.C.S. Fermont, 95%) como solvente para retrasar la polimerizaci&oacute;n y lograr un mezclado &oacute;ptimo. Los cer&aacute;micos precursores son BaTiO<sub>3</sub> (Merck, &gt;99%, <i>k</i>=1470), BaCO<sub>3</sub> (Sigma, &gt;99%), TiO<sub>2</sub> (Merck, &gt;99%) e Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (Aldrich, 99.99%). Como compatibilizadores se utilizaron cuatro diferentes AC: AE Sigma &ge;98.5%, AL Aldrich &ge;98%, AO Sigma&#45;Aldrich &ge;99% y EDTA Sigma&#45;Aldrich &ge;99%.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.1. Elaboraci&oacute;n de BaTiO<sub>3</sub> puro y dopado con Y</i></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se utilizaron polvos de BaCO<sub>3</sub> y TiO<sub>2</sub> como precursores para obtener BaTiO<sub>3</sub> mediante el m&eacute;todo de activaci&oacute;n t&eacute;rmica, el cual consiste en mezclar ambos precursores seg&uacute;n la reacci&oacute;n:</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><i>BaCO<sub>3</sub></i> + <i>TiO<sub>2</sub></i> &rarr; <i>BaTiO<sub>3</sub> </i>+ <i>CO<sub>2</sub></i> (2)</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Para fabricar BTY se agrega adem&aacute;s Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> para conseguir la sustituci&oacute;n de &aacute;tomos de Ti por &aacute;tomos de Y seg&uacute;n la siguiente reacci&oacute;n:</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><i>BaCO<sub>3</sub></i> + <i>(1&#45;x) TiO<sub>2</sub></i> + <i>x/2Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub></i> + <i>x<sub>4</sub>O<sub>2</sub></i> &rarr; <i>Ba(Ti<sub>1&#45;x</sub>Y<sub>x</sub>)O<sub>3</sub></i> + <i>CO<sub>2</sub></i> (3)</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Donde <i>x</i> se encuentra entre 0.001 y 0.02. Para elaborar los polvos de BT y BTY los precursores ya pesados se colocan en recipientes de polietileno a los cuales se les agrega agua desionizada y balines de zirconia. Cada una de estas mezclas se homogeniza durante 24 horas mediante rotaci&oacute;n. Luego la mezcla se recupera y se seca a 80&deg;C. Una porci&oacute;n del polvo se compacta uniaxialmente en forma de pastillas de 1 cm de di&aacute;metro y espesor promedio de 2 mm. Pastillas y polvo se sinterizan durante 1 hora a 1500&deg;C en un horno CARBOLITE RHF 17/3E (10&deg;C/min). Se pule la superficie de las pastillas obtenidas y se les colocan electrodos para su caracterizaci&oacute;n el&eacute;ctrica. En la sinterizaci&oacute;n se forman aglomerados de polvo de hasta 20 &#956;m, por lo que se utiliz&oacute; un molino SPEX 8000 durante media hora para obtener polvo de tama&ntilde;o de grano promedio de 450 nm utilizando balines de zirconia de 3 mm de d&iacute;ametro en una raz&oacute;n en masa balines/polvo de 5:1. Este polvo se utilizar&aacute; como relleno para los comp&oacute;sitos de silic&oacute;n.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.2. Preparaci&oacute;n de los comp&oacute;sitos de silic&oacute;n</i></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En un frasco de vidrio &aacute;mbar de 50 mL se pesa la cantidad necesaria del polvo elaborado anteriormente (BT o BTY) y se vierten 15 mL de n&#45;hexano. Se dispersan los aglomerados de polvo mediante agitaci&oacute;n con una punta ultras&oacute;nica SONICS Vibra&#45;Cell VCX 500. Luego se vierte en el mismo frasco la cantidad adecuada de RTV&#45;A para elaborar comp&oacute;sitos a un 30% vol. de relleno y se vuelve a agitar la mezcla por 20 minutos a fin homogenizarla. Luego se vierte el RTV&#45;B para iniciar el proceso de polimerizaci&oacute;n y se agita 20 minutos m&aacute;s. La mezcla se vierte en moldes de Tefl&oacute;n (di&aacute;metro 4.5 cm, profundidad 3 mm) y las muestras as&iacute; obtenidas se desgasifican en una campana de vac&iacute;o. Se dejan polimerizar a temperatura ambiente por 48 h.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Finalmente los comp&oacute;sitos fabricados tienen forma de discos flexibles de 4.5 cm de di&aacute;metro y espesor de aproximadamente 1 mm.</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.3. Escalamiento del efecto surfactante sobre el cer&aacute;mico</i></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Los comp&oacute;sitos con m&aacute;s de 30% vol. de BT presentan dificultades mec&aacute;nicas de mezclado. Esto motiv&oacute; a utilizar un agente surfactante para propiciar la dispersi&oacute;n del BT en la matriz de silic&oacute;n esperando mejorar las propiedades mec&aacute;nicas y los valores de <i>k</i> del comp&oacute;sito final. Se estudi&oacute; el efecto de cuatro diferentes AC esperando que su grupo carboxilo tienda a adsorberse en la superficie del cer&aacute;mico y su cadena de carbonos se integre a la cadena de siloxanos del silic&oacute;n. Para lograr este objetivo se "escal&oacute;" el sistema cer&aacute;mico/pol&iacute;mero usando pastillas de BT (<i>k</i>=1188, di&aacute;metro=8mm, espesor=1mm) recubiertas con una capa de hule silic&oacute;n RTV&#45;615. Dichas pastillas se sumergieron en recipientes con hexano en el cual se disolvi&oacute; previamente cada uno de los AC estudiados. La ocupaci&oacute;n molecular de los AC se estim&oacute; revisando los valores reportados en literatura relacionada &#91;3&#93; y compar&aacute;ndolos con las dimensiones arrojadas por el software de simulaci&oacute;n molecular ACD/ChemSketch. Las ocupaciones moleculares son muy similares para los AC empleados (0.2087 nm<sup>2</sup> para el AE, 0.2086 nm<sup>2</sup> para el AL, 0.2085 nm<sup>2</sup> para el AO) excepto para el EDTA cuya ocupaci&oacute;n es de 1.2337 nm<sup>2</sup>. Pasadas 16 horas las pastillas se retiraron de esa soluci&oacute;n y se evapor&oacute; el exceso de hexano. Se les coloc&oacute; una capa de silic&oacute;n de 10 &#956;m aprox. de espesor en ambas superficies planas. Se pretende que el AC enlace qu&iacute;micamente ambas fases logrando un mejor acoplamiento entre el cer&aacute;mico (hidrof&iacute;lico) y la matriz de silic&oacute;n (hidrof&oacute;bica). Ya polimerizado el silic&oacute;n se les colocaron electrodos para caracterizar estos sistemas capacitores. Un esquema del recubrimiento de estas pastillas se muestra en la <a href="#f3">Fig. 3</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f3"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f3.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.4. Elaboraci&oacute;n de comp&oacute;sitos con relleno de BaTiO<sub>3</sub> funcionalizado</i></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Despu&eacute;s del estudio descrito en la secci&oacute;n <i>2.C</i> se seleccion&oacute; el mejor AC y se calcul&oacute; la cantidad necesaria para recubrir la superficie del polvo de de BT utilizado como relleno de los comp&oacute;sitos. Para ello se consider&oacute; su ocupaci&oacute;n molecular y el tama&ntilde;o de la superficie de los polvos de BT ocupados como relleno que se consideran esf&eacute;ricos y con un di&aacute;metro de 450 nm). El AC seleccionado se disuelve en n&#45;hexano mediante agitaci&oacute;n ultras&oacute;nica. Luego se coloca el BT en esta soluci&oacute;n y se agrega 1 bal&iacute;n de Zr por cada mL de solvente. Durante 16 horas y mediante rotaci&oacute;n se promueve la funcionalizaci&oacute;n del BT. Al final se extrae el exceso de hexano y se compensa con 15 mL de hexano limpio. Posteriormente se lleva a cabo la adici&oacute;n del silic&oacute;n RTV como se describe en la secci&oacute;n 2.<i>B</i>.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.5. Caracterizaci&oacute;n el&eacute;ctrica de pastillas y comp&oacute;sitos</i></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se usa un puente universal de impedancias LCR Meter Modelo Z9216 para medir la capacitancia. Los comp&oacute;sitos se deben colocar en un sistema de placas paralelas para su caracterizaci&oacute;n el&eacute;ctrica. Con estas medidas se determinaron los valores de <i>k</i> y del factor de p&eacute;rdida diel&eacute;ctrica (<i>tan</i> &#948;) de pastillas y comp&oacute;sitos a 1 kHz. La conductividad (&#963;) se determin&oacute; utilizando un electr&oacute;metro Keytley Modelo 6487.</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>3. Resultados y discusi&oacute;n</b></font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">Los valores <i>k</i> (a 1 kHz) de los comp&oacute;sitos con diferentes cargas de relleno se muestra en <a href="#f4">Fig. 4</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f4"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f4.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En la <a href="#f4">Fig. 4</a> se observa que el <i>log k</i> de los comp&oacute;sitos sigue un comportamiento linear tipo Lichtenecker con una <i>c</i>=0.6 lo que podr&iacute;a indicar una dispersi&oacute;n de polvo no homog&eacute;nea. Del estudio de la compatibilizaci&oacute;n pol&iacute;mero/cer&aacute;mico descrito en la secci&oacute;n <i>2.C</i> se obtuvieron los valores de <i>k</i> mostrados en la <a href="#f5">Fig. 5</a>. En esta figura se observa que el AE eleva por si s&oacute;lo la <i>k</i> del sistema silic&oacute;n/cer&aacute;mico/silic&oacute;n lo cual concuerda con trabajos previos &#91;3&#93; donde se ha encontrado que &aacute;cidos carbox&iacute;licos con cadenas m&aacute;s largas mejoran la constante diel&eacute;ctrica de los comp&oacute;sitos m&aacute;s eficientemente y proveen una mejor dispersi&oacute;n del cer&aacute;mico en la matriz polim&eacute;rica.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f5"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f5.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En este caso, el AE posee la cadena de carbonos m&aacute;s larga (16 carbonos) e incrementa apreciablemente la <i>k</i> del comp&oacute;sito, por lo cual es el AC elegido para elaborar los siguientes comp&oacute;sitos. La carga &oacute;ptima de BT para preservar las propiedades aislantes y mec&aacute;nicas del silic&oacute;n es de 30% vol. por tanto, los comp&oacute;sitos se hicieron con esa cantidad de relleno. Se calcul&oacute; la cantidad te&oacute;rica de AE que debe disolverse en el hexano para funcionalizar al 100% la superficie de este polvo. Adicionalmente, para estudiar el efecto del AE en la <i>k</i> del polvo, se disolvieron en hexano cantidades menores y mayores (desde 0 hasta 2.33 veces la cantidad te&oacute;rica para recubrir el polvo). Estos resultados se muestran en la <a href="#f6">Fig. 6</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f6"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f6.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En la <a href="#f6">Fig 6</a> se observa que al agregar el equivalente a un 10% de la cantidad de AE que te&oacute;ricamente recubrir&iacute;a la superficie total del polvo se produce una elevaci&oacute;n en la <i>k</i> del comp&oacute;sito. Esto puede deberse a alguna imprecisi&oacute;n en el c&aacute;lculo de la cantidad de surfactante ya que se ha considerado que el polvo de BT posee una morfolog&iacute;a esf&eacute;rica y que no se forman aglomerados. En este caso, el &aacute;rea superficial ser&iacute;a menor y la cantidad agregada de surfactante excesiva. En la <a href="#f7">Fig. 7</a> se aprecia la calidad de la dispersi&oacute;n del BT en los comp&oacute;sitos cuando se utiliza cer&aacute;mico sin modificar y cuando se ha funcionalizado su superficie. Se observa que la introducci&oacute;n de AE mejor&oacute; la dispersi&oacute;n del relleno y disminuy&oacute; la porosidad del comp&oacute;sito.</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f7"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f7.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Posteriormente se elabor&oacute; BTY con 1% at. Y mediante el procedimiento descrito en la secci&oacute;n <i>2.A</i>. Se seleccion&oacute; esa concentraci&oacute;n de dopante debido a su <i>k</i> elevada y bajas <i>tan</i> &#948; y &#963;, determinados en experimentos previos. Los valores caracter&iacute;sticos del BT y BTY as&iacute; preparado se muestran en la <a href="#c1">Tabla 1</a>: Estos polvos se modificaron con AE y con ellos se elaboraron comp&oacute;sitos de silic&oacute;n RTV&#45;615 con un 30% vol. de relleno obteni&eacute;ndose los resultados de la <a href="#c2">Tabla 2</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="c1"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9c1.jpg"></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="c2"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9c2.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En esta Tabla se observa una mejor&iacute;a en la <i>k</i> de los comp&oacute;sitos cuando se modifica el tratamiento del cer&aacute;mico. Existe un cierto aumento en la <i>tan</i> &#948; cuando se introducen el AE y el dopante aunque no es tan considerable respecto a los comp&oacute;sitos elaborados con BT puro sin funcionalizar. En trabajos previos se ha detrminado que este incremento de la p&eacute;rdida diel&eacute;ctrica no es dependiente de la longitud de la cadena del surfactante &#91;3&#93;. Por otra parte, la introducci&oacute;n del AE y el dopante de Y no incrementan considerablemente la &#963; de los comp&oacute;sitos, lo cual es ventajoso debido a la aplicaci&oacute;n como aislante que se les pretende dar a los comp&oacute;sitos.</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>4. Ejemplo de aplicaci&oacute;n de los comp&oacute;sitos en una boquilla de transformador</b></font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">Las boquillas son componentes de los transformadores que a&iacute;slan el conductor que lleva corriente desde las l&iacute;neas del sistema de potencia en alta tensi&oacute;n hacia los devanados en el interior, atravesando la cubierta met&aacute;lica (tanque) conectada al potencial de tierra (<a href="#f8">Fig. 8</a>). Son elementos muy importantes para el buen desempe&ntilde;o de los transformadores ya que requieren un sistema de atenuaci&oacute;n de campo el&eacute;ctrico para evitar la presencia de descargas superficiales. Por ello, cualquier mejora en el material de las boquillas, e incluso en su dise&ntilde;o, que reduzca al m&aacute;ximo la probabilidad de fallo una vez instaladas, resulta interesante.</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f8"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f8.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Para evitar el problema de las descargas el&eacute;ctricas superficiales se pueden usar materiales comp&oacute;sitos de <i>k</i> alta que controlen el campo el&eacute;ctrico (E) en la boquilla. Para ejemplificar la aplicaci&oacute;n de los materiales obtenidos en este trabajo se model&oacute; el E en una boquilla de un transformador de potencial de 345 kV.</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El sistema se resolvi&oacute; por el m&eacute;todo del elemento finito usando COMSOL&reg; consider&aacute;ndolo un problema cuasiestacionario de geometr&iacute;a axial&#45;sim&eacute;trica. Para simular el efecto de las fronteras abiertas se utiliz&oacute; un dominio con elementos infinitos que reduce las dimensiones del sistema a resolver. El efecto de los comp&oacute;sitos elaborados en el potencial el&eacute;ctrico cerca de del extremo a tierra se simula en la <a href="#f9">Fig. 9 (a)</a> y <a href="#f9"> (b)</a>. En la <a href="#f9">Fig. 9.b</a> se puede observar que la aplicaci&oacute;n del comp&oacute;sito elaborado en el recubrimiento de la boquilla en lugar de silic&oacute;n puro, alivia en gran medida el esfuerzo diel&eacute;ctrico al que es sometido el aislador. Esto se puede apreciar mejor cerca del extremo a tierra donde las l&iacute;neas equipotenciales no se aglomeran tanto como en la <a href="#f9">Fig. 9.a</a>. En la <a href="#f10">Fig. 10</a> se muestra la distribuci&oacute;n de la componente tangencial del campo el&eacute;ctrico (<i>E<sub>t</sub></i>) a lo largo de la superficie del aislador (distancia de fuga) cercana a su extremo a tierra. La curva de l&iacute;neas y puntos, que representa el campo producido cuando la boquilla se recubre con el comp&oacute;sito elaborado, queda por debajo de la l&iacute;nea continua que representa el <i>E<sub>t</sub></i> generado con un recubrimiento de silic&oacute;n puro. Esta disminuci&oacute;n de <i>E<sub>t</sub></i> es ben&eacute;fica ya que este tipo de campo es el que m&aacute;s esfuerzos produce sobre la superficie del material. Tambi&eacute;n se estudi&oacute; que con una ligera modificaci&oacute;n en la geometr&iacute;a del primer fald&oacute;n de la boquilla elaborada con ese mismo comp&oacute;sito, se puede disminuir el <i>E<sub>t</sub></i> hasta casi en un 20% m&aacute;s (l&iacute;nea punteada).</font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f9"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f9.jpg"></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f10"></a></font></p>     <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n3/a9f10.jpg"></font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>5. Conclusiones</b></font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se encontr&oacute; que la modificaci&oacute;n de la superficie de BaTiO<sub>3</sub> utilizando &aacute;cido este&aacute;rico permite obtener comp&oacute;sitos con una dispersi&oacute;n m&aacute;s homog&eacute;nea y mayor <i>k</i> sin incrementar grandemente la conductividad el&eacute;ctrica de los materiales elaborados. Por otra parte, la aplicaci&oacute;n de estos comp&oacute;sitos a la cobertura de una boquilla de transformador ha conseguido disminuir el <i>E<sub>t</sub></i> en la cercan&iacute;a del extremo aterrizado que es el m&aacute;s propenso a sufrir da&ntilde;os debido a descargas superficiales. El introducir polvo de BaTiO<sub>3</sub> dopado con itrio como relleno, eleva a&uacute;n m&aacute;s la permitividad el comp&oacute;sito disminuyendo hasta en un 8.5% el <i>E<sub>t</sub></i>. Por ello se concluye que la acci&oacute;n conjunta de la permitividad del comp&oacute;sito elaborado, la funcionalizaci&oacute;n de su relleno y un eventual redise&ntilde;o del aislador en zonas conflictivas puede lograr que el aislador tenga un mucho mejor desempe&ntilde;o por m&aacute;s tiempo.</font></p>     <p align="justify"><font face="Verdana" size="2">&nbsp;</font></p>     <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Referencias</b></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;1&#93;. I. Ramirez, E.A. Cherney, S. Jayaram and M. Gauthier, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, <b>15</b>, 228 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698146&pid=S1665-3521201200030000900001&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;2&#93;. R. Popielarz and C.K. Chiang, Materials Science and Engineering: B, <b>139</b>, 48 (2007).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698148&pid=S1665-3521201200030000900002&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;3&#93;. K. Sonoda, J. Juuti, Y. Moriya and H. Jantunen, Composite Structures, <b>92</b>, 1052 (2010).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698150&pid=S1665-3521201200030000900003&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;4&#93;. T. Hu, J. Juuti, H. Jantunen and T. Vikman, Journal of the European Ceramic Society, <b>27</b>, 3997 (2007).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698152&pid=S1665-3521201200030000900004&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;5&#93;. Y. Rao, C.P. Wong, J. Qu and T. Marinis, Proceedings ofInternational Symposium on Advanced Packaging Materials,2000, pp. 44&#45;49.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698154&pid=S1665-3521201200030000900005&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;6&#93;. M. Paredes&#45;Olgu&iacute;n, F.P. Espino&#45;Cort&eacute;s and C. G&oacute;mez&#45;Y&aacute;&ntilde;ez, Cient&iacute;fica, <b>14</b>, 197 (2010).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698156&pid=S1665-3521201200030000900006&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;7&#93;. L.G. Wade Jr., Organic Chemistry, (5<sup>th</sup> Edition, Whitman College, Walla Walla, WA., 1999)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698158&pid=S1665-3521201200030000900007&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;8&#93;. A.W. Adamson and A.P. Gast, Physical Chemistry ofSurfaces,(6<sup>th</sup> Edition, John Willey &amp; Sons, Inc., E.U., 1997).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698159&pid=S1665-3521201200030000900008&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;9&#93;. S.J. Gregg and K.S. Sing, Adsorption, Surface area, andporosity. (London: Acad. Press; England, 1967).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698161&pid=S1665-3521201200030000900009&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>     <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;10&#93;. Farzaneh, M. (2009), IEEE Electrical Insulation Conference , 542&#45;550.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9698163&pid=S1665-3521201200030000900010&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>      ]]></body><back>
<ref-list>
<ref id="B1">
<label>1</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Ramirez]]></surname>
<given-names><![CDATA[I.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Cherney]]></surname>
<given-names><![CDATA[E.A.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Jayaram]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Gauthier]]></surname>
<given-names><![CDATA[M.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation]]></source>
<year>2008</year>
<volume>15</volume>
<page-range>228</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B2">
<label>2</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Popielarz]]></surname>
<given-names><![CDATA[R.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Chiang]]></surname>
<given-names><![CDATA[C.K.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Materials Science and Engineering: B]]></source>
<year>2007</year>
<volume>139</volume>
<page-range>48</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B3">
<label>3</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Sonoda]]></surname>
<given-names><![CDATA[K.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Juuti]]></surname>
<given-names><![CDATA[J.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Moriya]]></surname>
<given-names><![CDATA[Y.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Jantunen]]></surname>
<given-names><![CDATA[H.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Composite Structures]]></source>
<year>2010</year>
<volume>92</volume>
<page-range>1052</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B4">
<label>4</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Hu]]></surname>
<given-names><![CDATA[T.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Juuti]]></surname>
<given-names><![CDATA[J.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Jantunen]]></surname>
<given-names><![CDATA[H.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Vikman]]></surname>
<given-names><![CDATA[T.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Journal of the European Ceramic Society]]></source>
<year>2007</year>
<volume>27</volume>
<page-range>3997</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B5">
<label>5</label><nlm-citation citation-type="">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Rao]]></surname>
<given-names><![CDATA[Y.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Wong]]></surname>
<given-names><![CDATA[C.P.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Qu]]></surname>
<given-names><![CDATA[J.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Marinis]]></surname>
<given-names><![CDATA[T.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Proceedings ofInternational Symposium on Advanced Packaging Materials]]></source>
<year>2000</year>
<page-range>44-49</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B6">
<label>6</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Paredes-Olguín]]></surname>
<given-names><![CDATA[M.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Espino-Cortés]]></surname>
<given-names><![CDATA[F.P.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Gómez-Yáñez]]></surname>
<given-names><![CDATA[C.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Científica]]></source>
<year>2010</year>
<volume>14</volume>
<page-range>197</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B7">
<label>7</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Wade Jr.]]></surname>
<given-names><![CDATA[L.G.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Organic Chemistry]]></source>
<year>1999</year>
<edition>5</edition>
<publisher-loc><![CDATA[Walla Walla^eWA WA]]></publisher-loc>
<publisher-name><![CDATA[Whitman College]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B8">
<label>8</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Adamson]]></surname>
<given-names><![CDATA[A.W.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Gast]]></surname>
<given-names><![CDATA[A.P.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Physical Chemistry ofSurfaces]]></source>
<year>1997</year>
<edition>6</edition>
<publisher-name><![CDATA[John Willey & Sons, Inc.]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B9">
<label>9</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Gregg]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.J.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Sing]]></surname>
<given-names><![CDATA[K.S.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Adsorption, Surface area, andporosity]]></source>
<year>1967</year>
<publisher-loc><![CDATA[London ]]></publisher-loc>
<publisher-name><![CDATA[Acad. Press]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B10">
<label>10</label><nlm-citation citation-type="">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Farzaneh]]></surname>
<given-names><![CDATA[M.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[IEEE Electrical Insulation Conference]]></source>
<year>2009</year>
<page-range>542-550</page-range></nlm-citation>
</ref>
</ref-list>
</back>
</article>
