Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu
A. Blanca–Romeroª, J.M. Hernandez–Alcántarab, M.A. Ocaña–Bribiescac, J.F. Rivas–Silvad
a Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, México, D.F., email: abl@fisica.unam.mx.
b Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de Mexico, Mexico, D.F., email: josemh@fisica.unam.mx.
c Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apartado Postal J–48, Puebla, México, email: maocana@sirio.ifuap.buap.mx.
]]> d Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apartado Postal J–48, Puebla, México, email: jfrivas@sirio.ifuap.buap.mx.
Recibido el 12 de enero de 2011
Aceptado el 12 de mayo de 2011
Resumen
Un material dopado se puede obtener al sustiuir uno de sus átomos por una impureza. En este trabajo se proponen cuatro modelos estructurales que simulan el material ZnO dopado con Eu y se analiza la influencia de la correlación electrónica mediante la densidad de estados (DOS) del sistema. En particular, las impurezas de lantánidos presentan propiedades ópticas y electrónicas peculiares debidas a los electrones en la capa 4f, los cuales generan una resonancia tipo Kondo en el nivel de Fermi.
Descriptores: Lantánidos; resonancia Kondo; DFT; correlación electrónica.
Abstract
]]> A doped material can be obtained by substitution of one of its atoms with an impurity. In this work we propose four structural models which simulate a ZnO system doped with Eu and study the influence of the electron correlation in the system with the density of states (DOS). In particular, we observe that the lanthanide impurities exhibit peculiar optical and electronic properties due to the 4f subshell, which produce a Kondo–like resonance at the Fermi level.Keywords: Lanthanides; Kondo resonance; DFT; strong correlation.
PACS: 75.20.Hr; 71.15.AP; 72.10.Fk
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