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<article-title xml:lang="es"><![CDATA[Modelado analítico de un micro generador de potencia basado en tecnología MEMS y materiales piezoeléctricos]]></article-title>
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<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[In this work is presented an analytical modeling for a power microgenerator in order to obtain the most important figures of merit such as: voltage, generated power and displacement, in a harvesting energy system. The model compares three different piezoelectric materials: Lead Zirconate Titanate (PZT), Zinc Oxide (ZnO) and Barium Titanate (BaTiO3), taking in account the properties of materials and the parameters of the structure for designing more efficient harvesting devices. The modeling was done with a mass-spring-damper piezo system in conjunction with a storage energy system. The results of simulation showed that the PZT generated more power in comparison with the others, and the ZnO generated more voltage, which is an advantage where a system requires operate with more voltage than current. This analytical modeling was capable to predict the mechanical-electrical behavior of a piezoelectric microgenerator, which is very helpful in the design of MEMS harvesting devices for applications where the energy produced by the human movements can be collected.]]></p></abstract>
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</front><body><![CDATA[  	    <p align="center"><font face="verdana" size="4"><b>Modelado anal&iacute;tico de un micro generador de potencia basado en tecnolog&iacute;a MEMS y</b> <b>materiales piezoel&eacute;ctricos</b></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><b>Rincon&#45;Jara R. I., Ambrosio R.<sup>*</sup>, Jimenez A., Torres R.    <br></b> <i>Centro de Investigaci&oacute;n en Ciencia y Tecnolog&iacute;a Aplicada, Universidad Aut&oacute;noma d</i><i>e</i> <i>Ciudad Ju&aacute;rez, Departamento de El&eacute;ctrica y Computaci&oacute;n</i><i>.</i> <i>Ave. Del Charro 450 N, C.P. 32310, Cd. Ju&aacute;rez, Chihuahua, M&eacute;xico.</i> *<a href="mailto:rambrosi@uacj.mx">rambrosi@uacj.mx</a></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Recibido: 17 de septiembre de 2011    <br> 	Aceptado: 24 de mayo de 2012</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Resumen</b></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">En este trabajo se presenta el modelado anal&iacute;tico de un microgenerador de potencia para obtener su desplazamiento, voltaje y potencia generada, que son las figuras de m&eacute;rito m&aacute;s importantes en un sistema recolector de energ&iacute;a. En el modelo se comparan tres materiales piezoel&eacute;ctricos: PZT (Titanato Zirconato de Plomo), BaTiO3 (Titanato de Bario) y ZnO (&Oacute;xido de Zinc) con el prop&oacute;sito de obtener los par&aacute;metros de dise&ntilde;o m&aacute;s eficientes en dichos dispositivos. El modelado se realiz&oacute; con un sistema masaresorte&#45;amortiguador&#45;piezo junto con un sistema almacenador de energ&iacute;a. Los resultados comparativos de la simulaci&oacute;n num&eacute;rica mostraron que el PZT es el material que m&aacute;s potencia generada present&oacute; en comparaci&oacute;n con los otros dos materiales, y que el ZnO es el que m&aacute;s voltaje genera siendo una ventaja para aplicaciones donde se requiera operar con m&aacute;s voltaje que corriente. Este modelado anal&iacute;tico fue capaz de predecir el comportamiento mec&aacute;nico&#45;el&eacute;ctrico de un microgenerador piezoel&eacute;ctrico, lo cual ayudar&aacute; a optimizar el dise&ntilde;o de dispositivos para aplicaciones que puedan aprovechar la energ&iacute;a producida por el movimiento de los seres vivos.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Palabras clave:</b> MEMS (Sistemas Micro&#45;Electro&#45;Mec&aacute;nicos); Piezoel&eacute;ctrico; Cosechador de energ&iacute;a; Frecuencia de resonancia; Potencia generada.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Abstract</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">In this work is presented an analytical modeling for a power microgenerator in order to obtain the most important figures of merit such as: voltage, generated power and displacement, in a harvesting energy system. The model compares three different piezoelectric materials: Lead Zirconate Titanate (PZT), Zinc Oxide (ZnO) and Barium Titanate (BaTiO<sub>3</sub>), taking in account the properties of materials and the parameters of the structure for designing more efficient harvesting devices. The modeling was done with a mass&#45;spring&#45;damper piezo system in conjunction with a storage energy system. The results of simulation showed that the PZT generated more power in comparison with the others, and the ZnO generated more voltage, which is an advantage where a system requires operate with more voltage than current. This analytical modeling was capable to predict the mechanical&#45;electrical behavior of a piezoelectric microgenerator, which is very helpful in the design of MEMS harvesting devices for applications where the energy produced by the human movements can be collected.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Keywords:</b> MEMS; Harvesting devices; Piezoelectric materials.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>1. Introducci&oacute;n</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El r&aacute;pido avance tecnol&oacute;gico en nanotecnolog&iacute;a y microelectr&oacute;nica, ha permitido el desarrollo de sistemas electr&oacute;nicos que han alcanzado un grado tal de miniaturizaci&oacute;n que est&aacute;n empezando a emerger diferentes aplicaciones que se pueden llevar sobre el cuerpo humano para la generaci&oacute;n de energ&iacute;a y que &eacute;sta pueda ser utilizada para la alimentaci&oacute;n de dispositivos electr&oacute;nicos&#91;1&#93;. Este avance tecnol&oacute;gico ha requerido de fuentes alternativas, m&aacute;s prometedoras, como lo son los dispositivos recolectores de energ&iacute;a basados en Sistemas Micro&#45;Electro&#45; Mec&aacute;nicos (MEMS). Los sistemas recolectores de energ&iacute;a ser&iacute;an una alternativa al uso de bater&iacute;as convencionales, eliminando las desventajas que &eacute;stas representan, como lo son: la necesidad de remplazarlas o recargarlas peri&oacute;dicamente y su gran tama&ntilde;o comparado con los dispositivos microelectr&oacute;nicos que cada vez son m&aacute;s peque&ntilde;os. La recolecci&oacute;n de energ&iacute;a del medioambiente es actualmente investigada a trav&eacute;s de diferentes m&eacute;todos, tales como: el uso de vibraciones mec&aacute;nicas, la potencia solar, los campos electromagn&eacute;ticos, los gradientes t&eacute;rmicos y la energ&iacute;a producida por el cuerpo humano o por los movimientos de los seres vivos &#91;2&#93;. Entre estos m&eacute;todos de recolecci&oacute;n, la fuente de energ&iacute;a m&aacute;s confiable es la producida por las vibraciones mec&aacute;nicas ya que es la m&aacute;s sensible, es sencilla de usar y puede ser aprovechada por los dispositivos MEMS &#91;3, 4&#93;.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La energ&iacute;a producida por las vibraciones mec&aacute;nicas pueden ser convertida en energ&iacute;a el&eacute;ctrica usando tres tipos de transductores: electromagn&eacute;ticos, electroest&aacute;ticos y piezoel&eacute;ctricos. El tipo de generador m&aacute;s eficiente depende en cierta medida de las condiciones espec&iacute;ficas de operaci&oacute;n. Generalmente, los transductores piezoel&eacute;ctricos que convierten las vibraciones mec&aacute;nicas en energ&iacute;a el&eacute;ctrica presentan un alto acoplamiento electromec&aacute;nico y son particularmente atractivos para el uso en dispositivos MEMS &#91;4&#93;. En comparaci&oacute;n con los dispositivos electromagn&eacute;ticos, los dispositivos piezoel&eacute;ctricos resultan de bajo costo, ya que no requieren de fuentes externas de energ&iacute;a, adem&aacute;s que los materiales de los dispositivos electromagn&eacute;ticos no son compatibles con procesos est&aacute;ndar de la fabricaci&oacute;n de circuitos integrados de silicio, lo cual elevar&iacute;a los costos de fabricaci&oacute;n. La <a href="/img/revistas/sv/v25n2//a9t1.jpg" target="_blank">tabla 1</a> muestra el estado del arte para diferentes tipos de microgeneradores, los cuales est&aacute;n clasificados por su tipo de transducci&oacute;n (piezoel&eacute;ctrico, electromagn&eacute;tico, etc.), siendo el microgenerador del tipo piezoel&eacute;ctrico el m&aacute;s utilizado por su alta conversi&oacute;n de energ&iacute;a mec&aacute;nica a el&eacute;ctrica en comparaci&oacute;n con los dem&aacute;s, esto es representado por el valor de la potencia de salida.</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">El modelado anal&iacute;tico es un paso fundamental en el proceso de dise&ntilde;o para predecir el comportamiento mec&aacute;nico&#45;el&eacute;ctrico de las estructuras piezoel&eacute;ctricas. El modelo ayuda a determinar los par&aacute;metros interrelacionados y a optimizar los par&aacute;metros m&aacute;s importantes como la potencia generada, el voltaje y el desplazamiento presentes en el estudio y operaci&oacute;n de los dispositivos piezoel&eacute;ctricos recolectores de energ&iacute;a. Actualmente existen algunos modelados anal&iacute;ticos de una estructura piezoel&eacute;ctrica, en 1999 I. Dufour &#91;5&#93; estableci&oacute; ecuaciones anal&iacute;ticas simples para conocer la deflexi&oacute;n y el esfuerzo de una viga en voladizo (cantil&eacute;ver) para diferentes m&eacute;todos de actuaci&oacute;n (magn&eacute;tica, piezoel&eacute;ctrica y electroest&aacute;tica). En este mismo a&ntilde;o Marc Weingber &#91;6&#93; desarroll&oacute; una nueva soluci&oacute;n para conocer la fuerza, el desplazamiento y las cargas de una viga piezoel&eacute;ctrica, a trav&eacute;s del c&aacute;lculo del eje central en donde el doblez de la viga es cero y sus resultados estar&aacute;n cercanos a este eje. En 2006 J. Ajitsaria &#91;7&#93; enfoc&oacute; su modelo anal&iacute;tico en la uni&oacute;n de las ecuaciones de la teor&iacute;a de la viga de Euler&#45;Bernoulli y la teor&iacute;a de la viga de Timoshenko, y lo compar&oacute; con otros modelos que utilizan el m&eacute;todo de la conservaci&oacute;n de la energ&iacute;a y el modelo el&eacute;ctrico. Tambi&eacute;n en 2006 Shin&#45;Nung Chen &#91;3&#93; estudi&oacute; el modelo anal&iacute;tico para un micro generador de potencia inducido por vibraci&oacute;n con una viga en voladizo bimorfa del tipo piezoel&eacute;ctrica. El modelo se basa en el enfoque de la curvatura adoptando el acople de la tensi&oacute;n mec&aacute;nica y la polarizaci&oacute;n piezoel&eacute;ctrica para deducir el voltaje y la energ&iacute;a inducida por una vibraci&oacute;n. En este mismo a&ntilde;o Y. S. Chu &#91;8&#93; enfoc&oacute; su modelado anal&iacute;tico en un cosechador de energ&iacute;a piezoel&eacute;ctrico y lo model&oacute; como un sistema masa&#45;resorte&#45;amortiguador&#45;piezo junto con un sistema de almacenamiento de energ&iacute;a. En 2008 A. Mahieddine &#91;9&#93; analiz&oacute; vigas del tipo piezoel&eacute;ctricas utilizando el modelo del elemento finito basado en las f&oacute;rmulas de la teor&iacute;a de Kirchoff de primer orden y de la tensi&oacute;n lateral.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En este trabajo, se hace especial &eacute;nfasis en el desarrollo de un modelado anal&iacute;tico para un microgenerador piezoel&eacute;ctrico de potencia inducido por vibraci&oacute;n. El modelo est&aacute; basado en un sistema masa&#45;resorte&#45;amortiguador&#45;piezo junto con un sistema almacenador de energ&iacute;a desarrollado por Y. S. Chu &#91;8&#93;. En el modelo desarrollado se propone un an&aacute;lisis de una estructura piezoel&eacute;ctrica del tipo viga en voladizo con diferentes materiales piezoel&eacute;ctricos como son: PZT, BaTiO<sub>3</sub> y el ZnO, para deducir el voltaje y la potencia generada en el sistema recolector de energ&iacute;a. En el an&aacute;lisis con los diferentes materiales piezoel&eacute;ctricos, el PZT present&oacute; mayor potencia generada, pero el ZnO present&oacute; mayor ganancia de voltaje lo que lo hace atractivo para dispositivos que requieran un valor de voltaje grande para su operaci&oacute;n. La optimizaci&oacute;n del microgenerador piezoel&eacute;ctrico a trav&eacute;s del modelado anal&iacute;tico permitir&aacute; dise&ntilde;ar estructuras donde se aprovechen de manera eficiente las vibraciones producidas por el movimiento del cuerpo humano.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>2. Modelado</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.1</i> <i>Ecuaciones y modelo de una estructura piezoel&eacute;ctrica</i></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Algunos cristales presentan en comparaci&oacute;n con los dem&aacute;s, la propiedad peculiar de producir un campo el&eacute;ctrico cuando se somete a una fuerza externa y &eacute;ste es conocido como el efecto piezoel&eacute;ctrico directo. Estos tambi&eacute;n tienen la capacidad de contraerse o expandirse cuando un voltaje externo es aplicado sobre el cristal, lo que se conoce como el efecto piezoel&eacute;ctrico inverso. Las ecuaciones constitutivas de la estructura cristalina est&aacute;n definidas por la interacci&oacute;n entre el comportamiento mec&aacute;nico y el&eacute;ctrico que presenta el efecto piezoel&eacute;ctrico, as&iacute; como el medio en el que opera &#91;18&#93;:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s1.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">donde S es el estr&eacute;s, T es la tensi&oacute;n, E es el campo el&eacute;ctrico, D es el desplazamiento el&eacute;ctrico, s<sup>E</sup> es la matriz de elasticidad, d es la matriz piezoel&eacute;ctrica y &#949;<sup>T</sup> es la matriz de permitividad diel&eacute;ctrica.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El modelo de una estructura piezoel&eacute;ctrica est&aacute; formado por un sistema masa&#45;resorte&#45;amortiguador&#45;piezoel&eacute;ctrico junto con un sistema almacenador de energ&iacute;a. En la <a href="#f1">figura 1</a> se muestra el sistema implementado donde un elemento piezoel&eacute;ctrico es acoplado a una estructura mec&aacute;nica y conectado a un circuito almacenador de energ&iacute;a. En el sistema una masa efectiva M es unida a un resorte de rigidez efectiva K en funci&oacute;n de una fuerza aplicada F(t), un factor de amortiguaci&oacute;n &#951;, un elemento piezoel&eacute;ctrico caracterizado por un coeficiente piezoel&eacute;ctrico &#920; y un capacitor C<sub>P</sub> &#91;9&#93;.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f1"></a></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9f1.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Las ecuaciones generales que representan el modelo de un sistema cosechador de energ&iacute;a, est&aacute;n definidas por:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s2.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">donde <i>u</i> es el desplazamiento de la masa M, e I(t) es el flujo de corriente que se presenta en el sistema cosechador de energ&iacute;a que est&aacute; relacionado al voltaje rectificado V<sub>c</sub> por la condici&oacute;n:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s3.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">donde C<sub>e</sub> es el capacitor externo, R es la resistencia de carga. Adem&aacute;s la excitaci&oacute;n mec&aacute;nica sinusoidal F(t) aplicada al sistema de la <a href="#f1">figura 1</a> est&aacute; definida por la ecuaci&oacute;n (5):</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s4.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>2.2</i> <i>Desarrollo del modelado anal&iacute;tico</i></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Un an&aacute;lisis arm&oacute;nico de las ondas t&iacute;picas del desplazamiento u(t) y del voltaje rectificado V<sub>C</sub>(t) mostradas en la <a href="#f2">figura 2</a>, es realizado obteniendo las siguientes consideraciones en el modelado del microgenerador:</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">1. El periodo de vibraci&oacute;n en la forma de onda T=(2&#960;/w), se obtiene del reciproco de la frecuencia (f) obtenida de la frecuencia angular w=2&#960;f.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">2. Los instantes de tiempo final t<sub>f</sub> y tiempo inicial t<sub>i</sub> son el m&iacute;nimo y el m&aacute;ximo en la forma de onda (t<sub>f</sub>&#45;t<sub>i</sub>)=T/2.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">3. La magnitud del desplazamiento y de la fuerza con la que se excita la base del micro generador son u(t)=u<sub>0</sub>sen(wt) y F(t)=F<sub>0</sub>sen(wt) respectivamente.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f2"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9f2.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Las consideraciones anteriores ser&aacute;n una herramienta esencial en la soluci&oacute;n de las ecuaciones desarrolladas en el an&aacute;lisis estacionario y por el balance de energ&iacute;a. As&iacute; la corriente que fluye por Ce en el estado estacionario es <img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s5.jpg">, entonces integrando la ecuaci&oacute;n (4) y sustituyendo el valor Ce se obtiene:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s6.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Integrando la ecuaci&oacute;n general (2) y tomando en cuenta el valor de la corriente en el estado estacionario, se obtiene V<sub>c</sub></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s7.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Ahora es necesario encontrar el valor de u<sub>0</sub>, esto es posible realizando un balance de energ&iacute;a a las ecuaciones generales para ello se multiplica la ecuaci&oacute;n general (1) por &#367;(t) y la ecuaci&oacute;n general (2) por v<sub>P</sub>(t), y se integra cada una de estas ecuaciones (9) y (10):</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s8.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Realizando una adici&oacute;n de las ecuaciones 9 y 10 el balance de energ&iacute;a se reduce a la siguiente expresi&oacute;n</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s10.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El siguiente paso es derivar la ecuaci&oacute;n general 1 y despejar V<sub>p</sub> de la ecuaci&oacute;n (2) para sustituirla en la ecuaci&oacute;n derivada como se muestra en la ecuaci&oacute;n (13), y su resultado se expresa en la ecuaci&oacute;n (14) que contiene la funci&oacute;n trigonom&eacute;trica del coseno</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s11.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Ahora las variables sin&#952; y cos&#952; se pueden eliminar realizando una suma de las ecuaciones (12) y (14), y obteniendo una expresi&oacute;n para F0 de la siguiente manera</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s12.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La magnitud del desplazamiento u0 se obtiene sustituyendo la ecuaci&oacute;n 8 del voltaje rectificado V<sub>c</sub> en la ecuaci&oacute;n (15) de F0, y despu&eacute;s normalizando la magnitud u0 se obtiene la ecuaci&oacute;n (16)</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s13.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El desplazamiento normalizado representado por la ecuaci&oacute;n 16, es simplificado utilizando las variables sin dimensiones mostradas a continuaci&oacute;n</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s14.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">donde k<sub>e</sub> es el coeficiente de acoplamiento electromec&aacute;nico, &#950;<sub>m</sub> coeficiente de amortiguaci&oacute;n, w<sub>N</sub> es la frecuencia de resonancia, &#8486; es la frecuencia normalizada y &#945; es la resistencia normalizada.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s15.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Sustituyendo la ecuaci&oacute;n (18) en la ecuaci&oacute;n (8), se obtendr&aacute; la representaci&oacute;n del voltaje normalizado</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s16.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Por &uacute;ltimo, la potencia normalizada se obtiene de la relaci&oacute;n P=V<sup>2</sup>/R</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9s17.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">En resumen la potencia normalizada, el voltaje normalizado y el desplazamiento normalizado quedaron en funci&oacute;n solamente de las variables de la frecuencia normalizada &#937;, el acoplamiento electromec&aacute;nico ke y la resistencia normalizada &#945;.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>3. Resultados</b></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">El modelado anal&iacute;tico se realizo en el software Maple 13 y fue utilizado para conocer el comportamiento de la potencia, voltaje y desplazamiento para una estructura tipo viga suspendida, viga en voladizo o trampol&iacute;n para diferentes materiales piezoel&eacute;ctricos: PZT, BaTiO<sub>3</sub> y Zn<sub>O</sub>. El procedimiento empez&oacute; con la definici&oacute;n de las propiedades de los materiales piezoel&eacute;ctricos utilizados para el modelado, los cuales se obtuvieron de la literatura &#91;19&#93;. Posteriormente se definieron las dimensiones del microgenerador. En La <a href="/img/revistas/sv/v25n2//a9t2.jpg" target="_blank">tabla 2</a> se muestra la geometr&iacute;a espec&iacute;fica, las dimensiones del microgenerador tipo viga en voladizo y las propiedades piezoel&eacute;ctricas de cada material. Finalmente se introdujeron las ecuaciones y el sistema resolvi&oacute; para cada caso.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>3.1.</i> <i>Potencia normalizada vs. Frecuencia normalizada</i></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La potencia que cada material genera ante las propiedades y geometr&iacute;a utilizadas en el modelado anal&iacute;tico se muestra en la <a href="#f3">figura 3</a>, en ella se tiene como resultado que la potencia m&aacute;xima es la misma para dos valores de la frecuencia normalizada en cada material, estos dos picos se conocen como la frecuencia de resonancia (primer pico) y la frecuencia de anti resonancia (segundo pico) y el cambio de pico a pico es alcanzado principalmente variando la resistencia de carga. Comparando los materiales se puede observar que el PZT genera mayor potencia en Watts que el BaTiO<sub>3</sub> y el ZnO. Adem&aacute;s el valor de potencia m&aacute;s peque&ntilde;o es obtenido para el ZnO y sus picos de resonancia se encuentran muy cerca debido a que el coeficiente de acoplamiento electromec&aacute;nico es m&aacute;s peque&ntilde;o que el de los dem&aacute;s materiales.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f3"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9f3.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>3.2.</i> <i>Voltaje normalizado vs. Frecuencia normalizada</i></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El voltaje generado al momento de someter a la estructura piezoel&eacute;ctrica a un esfuerzo present&oacute; una variaci&oacute;n significativa entre los picos de resonancia y anti resonancia, como se muestra en la <a href="#f4">figura 4</a>. El mayor voltaje generado se obtuvo en la frecuencia de anti resonancia, pero considerando que el voltaje esta en relaci&oacute;n a la corriente por P=VI, entonces la corriente en el pico de resonancia ser&aacute; en orden de magnitud mucho m&aacute;s grande que en el segundo pico. Comparando los materiales piezoel&eacute;ctricos se observ&oacute; que en el ZnO se gener&oacute; un mayor voltaje en comparaci&oacute;n con los otros materiales, lo cual puede atribuirse a su bajo coeficiente de acoplamiento.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f4"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9f4.jpg"></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>3.3.</i> <i>Desplazamiento normalizado vs. Frecuencia normalizada</i></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Los desplazamientos relativos de la estructura con la masa de prueba es comparado con los dos picos de resonancia como se muestra en la <a href="#f5">figura 5</a>, en ella se puede observar que el desplazamiento es mayor en resonancia que en anti resonancia, por lo que operar en resonancia puede representar una ventaja para la construcci&oacute;n de micro dispositivos, ya que teniendo un menor desplazamiento se pueden construir estructuras m&aacute;s peque&ntilde;as con la misma potencia generada que en el pico de anti resonancia. Los desplazamientos m&aacute;s peque&ntilde;os se presentaron en el &oacute;xido de zinc y los desplazamientos m&aacute;s grandes se presentaron para el PZT.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f5"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v25n2//a9f5.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>4. Conclusiones</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El desarrollo del modelado anal&iacute;tico fue capaz de predecir el comportamiento para la potencia, voltaje y desplazamiento normalizado, realizando la comparaci&oacute;n con tres materiales piezoel&eacute;ctricos como lo son el ZnO, PZT y el BaTiO<sub>3</sub>. En el modelado se observ&oacute; que para micro&#45;dispositivos, la frecuencia de resonancia y anti resonancia es un factor muy importante para conocer su comportamiento. La potencia generada es igual en los picos de la frecuencia de resonancia que en anti resonancia, pero para el voltaje generado su valor difiere sustancialmente entre cada uno de estos picos siendo mayor en anti resonancia, por lo que la corriente generada es mayor en el pico de resonancia. Con los resultados obtenidos para cada par&aacute;metro, se define que operar en anti resonancia para el ZnO ser&aacute; una ventaja para dispositivos que requieran mayor voltaje que corriente para su operaci&oacute;n, adem&aacute;s utilizando PZT ser&aacute; ventajoso para obtener la mayor potencia generada. Este modelado podr&aacute; optimizar el dise&ntilde;o de microgeneradores para aplicaciones que puedan aprovechar la energ&iacute;a producida por el movimiento de los seres vivos.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">&nbsp;</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Referencias</b></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;1&#93;. L. M. Swallow, J. K. Luo, E. Siores, I. Patel and D. Dodds, Smart Mater Struct. <b>17</b>, 1 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696920&pid=S1665-3521201200020000900001&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;2&#93;. H. Fang, J. Liu, Z. Xu, L. Dong, L. Wang, D. Chen, B. Cai, Y. Liu, Microelectr J. <b>37</b>, 280 (2006).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696922&pid=S1665-3521201200020000900002&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;3&#93;. Shih&#45;Nung Chen, Mechatronics <b>16</b>, 379 (2006).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696924&pid=S1665-3521201200020000900003&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;4&#93;. S. Saadon, O. Sidek, Energ convers manage <b>52</b>, 500 (2011)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696926&pid=S1665-3521201200020000900004&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;5&#93;. I. Dufour, J. model and simul of Microsystems <b>1</b>, 57 (1999).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696927&pid=S1665-3521201200020000900005&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;6&#93;. M.S. Weinberg, B.T. Cunningham, C.W. Clapp, J. Microelectromech. S. <b>9</b>, 370 (2000)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696929&pid=S1665-3521201200020000900006&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;7&#93;. .J. Ajitsaria, S.Y. Choe, D. Shen and D. J. Kim, Smart Mater Struct. <b>16</b>, 447 (2007)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696930&pid=S1665-3521201200020000900007&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;8&#93;. Y. C. Shu, Smart Mater Struct. <b>15</b>, 1499 (2006).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696931&pid=S1665-3521201200020000900008&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;9&#93;. A. Mahieddine, J. Eng Appl Sci. <b>10</b>, 803 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696933&pid=S1665-3521201200020000900009&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --> &#91;10&#93;.C.B. Williams, R.B. Yates, Sensor Actuator <b>52</b>, 8 (1996).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696934&pid=S1665-3521201200020000900010&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;11&#93;. J. Quan Liua, H. Bin Fanga, Microelectr J. <b>39</b>, 802 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696936&pid=S1665-3521201200020000900011&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;12&#93;. T. Dong, E. Halvorsen, Proc. power MEMS <b>39</b>, 77 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696938&pid=S1665-3521201200020000900012&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;13&#93;. H. &#45;Bin Fanga, J. &#45;Quan Liu, Microelectr J. <b>37</b>, 1280 (2006).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696940&pid=S1665-3521201200020000900013&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;14&#93;. M. Renaud and K. Karakaya, Senso Actuator A Phys. <b>145</b>, 380 (2008).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696942&pid=S1665-3521201200020000900014&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;15&#93;. J. C. Park and J. Y. Park, J microelectromech S. <b>19</b> (5), 1215 (2010)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696944&pid=S1665-3521201200020000900015&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;16&#93;. D. Shena, J.&#45;H. Park, Sensor Actuator <b>154,</b> 103 (2009).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696945&pid=S1665-3521201200020000900016&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;17&#93;. S. Roundy, P. K. Wright, and K. S. J. Pister, "Micro&#45; Electrostatic Vibration&#45;to&#45;Electricity Converters", ASME IMECE, Nov. 17&#45;22, New Orleans, Louisiana (2002).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696947&pid=S1665-3521201200020000900017&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;18&#93;. IRE, Standard on piezoelectric crystals: Determination of the elastic, piezoelectric and dielectric constant, 58 IRE 14, (1962)</font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696949&pid=S1665-3521201200020000900018&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;19&#93;. COMSOLAB, "COMSOL material library database", version 4, CM021201, (2010).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9696950&pid=S1665-3521201200020000900019&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>      ]]></body><back>
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<ref id="B1">
<nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
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<surname><![CDATA[Swallow]]></surname>
<given-names><![CDATA[L. M.]]></given-names>
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<surname><![CDATA[Luo]]></surname>
<given-names><![CDATA[J. K.]]></given-names>
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<surname><![CDATA[Siores]]></surname>
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<surname><![CDATA[Patel]]></surname>
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<surname><![CDATA[Dodds]]></surname>
<given-names><![CDATA[D.]]></given-names>
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