Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2
Ch. Powerª, E. Calderónª, J. Gonzálezb*, J.C. Chervinc
ª Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, 5101 Merida. Venezuela.
b *DCITIMAC – Malta Consolider Team, Universidad de Cantabria, Santander, España, e–mail: ch–power@hotmail.com.
c Institut de Minéralogie et de Physique des Milieux Condensés, CNRS UMR 7590, Université Pierre et Marie Curie, 140 rue de Lourmel, F–75015 Paris, France.
]]>Recibido el 8 de junio de 2010
Aceptado el 4 de noviembre de 2010
Resumen
En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro–espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2–6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (ε0) y de alta frecuencia (ε∞). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].
Descriptores: Semiconductores I–III–VI2; infrarrojo; altas presiones.
Abstract
In this work, we study the pressure behavior of the optical absorption spectrum of a single crystal AgGaS2, taking measurements in the infrared energy range from 0.30 up to 0.70 eV for pressures values P below 4GPa and room temperature T, using a diamond anvil cell in combination with infrared micro spectroscopy technique [1]. With this study, we determine the refraction index n variations in terms of pressure within the stability range of the chalcopyrite structure [2–6] as well as the changes under pressure of both the static (ε0) and high frequency (ε∞) dielectric constants. These results can be compared with the experimental values reported by Boyd et al. [7].
]]> Keywords: I–III–VI2 semiconductor; infrared; high pressure.
PACS: 74.25.Gz; 74.62.Fj; 78.30.–j; 78.40.Fy
DESCARGAR ARTÍCULO EN FORMATO PDF
Agradecimientos
Los autores de este proyecto queremos agradecer al CDCHT de la Universidad de Los Andes, Mérida Venezuela, por su soporte financiero, a través del proyecto C–1570–08–05–B.
Referencias
]]>1. R. LeToullec, J.P. Pinceaux y P. Loubeyre, Hihg Pressure Research 1 (1988) 77. [ Links ]
2. A. Werner, H.D. Hochheimer y A. Jayaraman, Phys. Rev. B 23 (1981) 3836. [ Links ]
3. C. Carlone, D. Olego, A. Jayaraman y M. Cardona, Phys.Rev. B 22 (1980) 3877. [ Links ]
4. T. Tinoco, A. Polian, J.P. Itié, E. Moya y J. González, J. Phys. Chem. Solids 56 (1995) 481. [ Links ]
5. H. Kitahara, N. Ishizawa, F. Marumo y Y. Noda, Phys. Rev. B 55 (1997) 2690. [ Links ]
]]>6. J. González, Ch. Power, E. Calderón y J.C. Chervin. Inst. Phys. Conf. 152 (1998) 95. [ Links ]
7. G.D. Boyd, H.M. Kasper, J.H. McFee y E.G. Storz, IEEE J. of Quantum Electron 8 (1972) 12. [ Links ]
8. J.L. Shay y J.H. Wernick, Ternary Chalcopyrites Semiconductors, (Pergamon Press, Oxford, 1975). [ Links ]
9. J. Gonzalez, Y. Cuinet y J. Lefebre, Crys. Res. Technol. 31 (1996) 453. [ Links ]
10. Y. Noda, T. Kurasawa, N. Sugai, Y. Furukawa y K. Masumoto, J. of Crystal Growth 99 (1990) 757. [ Links ]
]]>11. Y. Noda, T. Kurasawa, Y. Furukawa, and K. Masumoto, J. of Crystal Growth 115 (1991) 802. [ Links ]
12. J.C. Chervin, B. Canny y J.M. Besson, Rev. Sci. Instrum. 66 (1995) 2595. [ Links ]
13. M.Y. Eremets, M. Gauthier, A. Polian, J.C. Cherviny J.M. Besson. Phys. Rev. B, 52 (1995) 8854. [ Links ]
14. Baojun Chen et al. , , Journal of Crystal Growth, 292 (2006) 490. [ Links ]
15. N. Ishizawa, H. Kitahara, T. Komori, Y. Noda y F. Marumo, J. pnJ. Appl. Phys. 32 (1993) 171. [ Links ]
]]>16. K. Strössner, S. Ves, and M. Cardona, Phys. Rev. B 32 (1985) 6614. [ Links ]
17. S. Gopalan, P. Lautenschlanger y M. Cardona, Phys. Rev. B 35 (1987) 5577. [ Links ]
18. C. Carlone, D. Olego, A. Jayaraman y M. Cardona, Phys. Rev. B 22 (1980) 3877. [ Links ]
19. Ch. Power, S. Guilliland, A. Segura y J. Gonzalez, Phys Status Solidi (b) 235 (2003) 326. [ Links ]
20. L. Artus, Y. Bertran y A. López–Soler, J. Phys. C: Solid State 22. [ Links ] S. Adachi, J. Appl. Phys. 53 (1982) 5863. [ Links ] Phys. 20 (1987) 111. [ Links ]
21. W.H. Koschel y M. Bettini, Phys. Status Solidi (b) 72 (1975) 729. [ Links ]
22. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53 (1982) 5863. [ Links ]
23. A.R. Goñi, K. Syassen, K. Strössner y M. Cardona, Semicon. Science and Technol. 4 (1989) 246. [ Links ]
]]>