Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS₂

F. V. Pérez G.^ª,b,*, Ch. Powerª, J.C. Chervin ^c y J. Gonzálezª

ª Centro de Estudio de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de los Andes, Mérida 5101, Venezuela

^b Facultad de Ciencias, Departamento de Física, Universidad del Zulia, Maracaibo, Venezuela

^c Physique des Millieux Condes (UA 782), Tour 13, E2, Université P. Et Marie Curie, 4 Place Jessieu, Paris Cedes 05, France, e–mail: virginia225@yahoo.com

Resumen

Se ha estudiado la dependencia isobárica con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto laminar TlGaS₂, en el rango comprendido entre 26 K y ambiente. Este estudio mostró que para los modos internos del material la contribución anarmónica en el decaimiento de los fonones es mayor que la correspondiente contribución en el caso de los modos externos. Se encontró, además, que la variación de la frecuencia de los modos externos con la temperatura se ve afectada en mayor grado por el cambio de volumen que por la participación anarmónica.

Descriptores: Semiconductor; TlGaS₂; temperatura.

Abstract

The isobaric temperature dependence of the Raman active phonons of layer TlGaS₂ compound was studied in the temperature range from 26 K to 300 K, approximately. The results showed that for the internal modes of material the anharmonic contributions to the phonon decay is higher than the corresponding contribution of the external modes. Moreover, the temperature variation of the external mode frequencies temperature variation is more affected for the volume changes of the material than for the anharmonic participation.

Keywords: Semiconductors; TlGaS₂; temperature.

PACS: 78.30.–j;63.20.–e

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Agradecimientos

Agradecemos al CDCHT de la Universidad de los Andes (Proyecto C–1255–04–05–AA), al CEFI–PCP Materiales (Francia), al FONACIT (Proyecto F–2002000214, Venezuela) por financiar en parte la realización de este trabajo y al CONDES de la Universidad del Zulia por el apoyo financiero para la publicación de este trabajo.

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