Capture of carriers by quantum wells via optical-phonon deformation potential
J. Hernández-Rosas, L. Villegas-Lelovsky and G. González de la Cruz
Departamento de Física, CINVESTAV-IPN Apdo. Post. 14-740, México D.F. 07000, México.
Recibido el 11 de septiembre de 2001. ]]> Aceptado el 25 de enero de 2002.
Abstract
A calculation is reported for the probability of electron capture by a single quantum well that takes into account the quasi-two-dimensional electron system in the quantum well. The influence of continuum resonances, which are localized in the vicinity of the quantum well at energies above the barrier, were considered in the calculations. The scattering rate by optical-phonon deformation potentials as function of the incident electron energy and the well width are discussed.
Keywords: Electron capture rate; quantum well; optical-phonon deformation potential.
Resumen
En este trabajo se calcula la probabilidad de captura de un electrón por un pozo cuántico, la cual considera la biodimensionalidad del sistema electrónico en el pozo cuántico. La influencia de los estados resonantes para energías electrónicas mayores que la energía del pozo. Se presenta un análisis de la razón de dispersión de electrones vía fonones en la aproximación del potencial de deformación como función del ancho del pozo cuántico.
Descriptores: Probabilidad de captura electrónica; pozo cuántico, interacción electrón-fonón vía potencial de deformación.
]]> PACS: 72.15.Lh, 72.20.Jv
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Acknowlegdments
This work was partially supported by Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, (CONACYT), México.
References
1. Long wavelength infrared photodetectors, edited by Maneijeh Razeghi (Gordon and Breach Science Publishers 1996). [ Links ]
]]>2. S.V. Kozyrev and A. Ya. Shik, Fiz. Tekh. Poluprovodn 19 (1985) 1667. Sov. Phys. Semicond. 19 (1985) 1024. [ Links ]
3. J. A. Brum and G. Bastard, Phys. Rev. B. 33 (1986) 1420. [ Links ]
4. D. Bradt, Yuri Sirenko and V. Mitin, Semicond. Sci. Technol. 10 (1995)260. [ Links ]
5. N.T. Tsang, Appl. Phys. Lett. 39 (1981) 134. [ Links ]
6. J. Feldman, G. Peter, E.O. Gobel, K. Leo, H.J. Polland, K. Ploog, K. Fujiwara and T. Nakayama, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 226. [ Links ]
]]>7. B. Deveaud, F. Crerot, A. Regreny, K. Fujiwara, K. Mitsunga and J. Ohta, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2646. [ Links ]
8. P.W.M. Blom, J.E.M. Haverkort, P.J. van Hall and J.M. Walter, Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1490. [ Links ]
9. P. Sotirelis and K. Hess, Phys. Rev. B 49 (1994) 7543. [ Links ]
10. K. Kalna, M. Mosko and F.M. Peeters, Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 117. [ Links ]
11. M. Abou Khalil, M. Goano, B. Reid, A. Champagne and R. Maciejko, J. Appl. Phys. 81 (1997) 6438. [ Links ]
]]>12. P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort and J.H. Walter, Phys. Rev.B 47 (1993) 2072. [ Links ]
13. M.R.X. Barros, P.C. Becker, D. Morris, B. Deveaud, A. Regreny and F. Beisser, Phys. Rev.B 47 (1993) 10951. [ Links ]
14. G. Bastard, in Solid State Physics, Semiconductor Heterostructures and Nanostructures, edited by H. Ehrenreich and D. Turnbull (Academic Press, San Diego, Ca. Inc. 1991 Vol.44) [ Links ]
15. W. Potz and P. Vogl, Phys. Rev. B 24 (1981) 2025. [ Links ]
16. C.S. Lent and W. Porod, Superlattices. Microstruct. 4 (1988) [ Links ] ]]>