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<article-title xml:lang="es"><![CDATA[Técnica de medición de baja corriente para un convertidor termoiónico]]></article-title>
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<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[An analog electrical technique is presented to measure a small current that is generated by a thermionic converter when it is operated at low temperature regime. Direct and inverse currents are generated simultaneously in a thermionic converter at steady state (emitter temperature > 1500K); although, at low temperature regime any of them may be more significant. Important information is obtained from a thermionic converter when it is operated at low temperature regime, particularly, when the inverse current is generated from the collector to the emitter (inverse current &#8776; 1 µA). An operational amplifier is used as a buffer circuit to measure the voltage in a small capacitor. A mathematical treatment was made from the voltage data obtained from the charged capacitor to measure indirectly the current generated by the thermionic converter. It was possible to measure a small current like 1 µA by this technique.]]></p></abstract>
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<kwd lng="es"><![CDATA[Técnica de medición]]></kwd>
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</front><body><![CDATA[  	    <p align="center"><font face="verdana" size="4"><b>T&eacute;cnica de medici&oacute;n de baja corriente para un convertidor termoi&oacute;nico</b></font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><b>P&eacute;rez&#45;Luna J. G.*, Moreno&#45;Coria L. A.*, Alc&aacute;ntara&#45;Iniesta S.*, Jim&eacute;nez&#45; Gonz&aacute;lez A.**, Estrada&#45; Gasca C.**</b></font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>* Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, BUAP Av. 14 Sur y Av. San Claudio, Col. San Manuel, Puebla Pue., C.P. 72560, M&eacute;xico</i>.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><i>** Centro de Investigaci&oacute;n en Energ&iacute;a, UNAM Priv. Xochicalco S/N, Temixco Mor., C.P. 62580, M&eacute;xico</i>.</font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Recibido: 13 de septiembre de 2013;    <br> 	Aceptado: 28 de febrero de 2014.</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Resumen</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se presenta una t&eacute;cnica anal&oacute;gica para medir las peque&ntilde;as corrientes que son generadas por un convertidor termoi&oacute;nico cuando es operado en el r&eacute;gimen de baja temperatura. La operaci&oacute;n en estado estable de un convertidor termoi&oacute;nico (temperatura de emisor &gt; 1500K), manifiesta una corriente dominada por el electrodo emisor. En r&eacute;gimen de baja temperatura puede dominar la corriente proveniente del colector; es decir, se obtiene una corriente inversa. Es importante estudiar esta corriente pues est&aacute; asociada a las temperaturas de operaci&oacute;n de los electrodos y a sus correspondientes funciones de trabajo. En esta condici&oacute;n la corriente inversa es de magnitud peque&ntilde;a y puede mostrar valores cercanos a 1 &micro;A. En este trabajo se emplea un capacitor de peque&ntilde;a magnitud para medir en forma simult&aacute;nea el voltaje y la corriente provenientes del convertidor termoi&oacute;nico. La carga del capacitor se asocia a un amplificador operacional empleado como circuito buffer. Se hace un tratamiento matem&aacute;tico del voltaje transitorio del capacitor para obtener la corriente del convertidor termoi&oacute;nico. Con esta t&eacute;cnica fue posible medir corrientes del orden de 1 &micro;A.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Palabras clave:</b> T&eacute;cnica de medici&oacute;n; Peque&ntilde;a corriente; Convertidor termoi&oacute;nico.</font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Abstract</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">An analog electrical technique is presented to measure a small current that is generated by a thermionic converter when it is operated at low temperature regime. Direct and inverse currents are generated simultaneously in a thermionic converter at steady state (emitter temperature &gt; 1500K); although, at low temperature regime any of them may be more significant. Important information is obtained from a thermionic converter when it is operated at low temperature regime, particularly, when the inverse current is generated from the collector to the emitter (inverse current &#8776; 1 &micro;A). An operational amplifier is used as a buffer circuit to measure the voltage in a small capacitor. A mathematical treatment was made from the voltage data obtained from the charged capacitor to measure indirectly the current generated by the thermionic converter. It was possible to measure a small current like 1 &micro;A by this technique.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Keywords:</b> Measurement technique; Small current; Thermionic converter.</font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>1. Introducci&oacute;n</b></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">El efecto termoi&oacute;nico consiste en la emisi&oacute;n de electrones que se generan en un electrodo caliente con respecto a un electrodo fr&iacute;o por el cual son recibidos &#91;1&#93;. Al primero se le denomina emisor y al segundo colector. Este fen&oacute;meno se presenta cuando el material del emisor se encuentra a una temperatura superior a los 1000 K. Se define el nivel de Fermi <i>E<sub>F</sub></i> en metales, como el nivel de energ&iacute;a m&aacute;ximo que pueden tener los electrones dentro de un material, cuando &eacute;ste se encuentra a una temperatura absoluta de cero grados. Los electrones no s&oacute;lo ocupan estos estados de energ&iacute;a m&aacute;ximos; sino tambi&eacute;n, estados de menor energ&iacute;a representados por niveles cu&aacute;nticos cuya poblaci&oacute;n para cada nivel est&aacute; dada de acuerdo a la funci&oacute;n de distribuci&oacute;n de Fermi&#45;Dirac &#91;2&#93;. Se define la funci&oacute;n de trabajo <i>&oslash;,</i> como la energ&iacute;a necesaria para liberar a un electr&oacute;n que se encuentra dentro de un material y con la cual se vence la fuerza de atracci&oacute;n el&eacute;ctrica generada por una carga imagen positiva reflejada en el material por ausencia del electr&oacute;n; en otras palabras, es la diferencia del nivel energ&eacute;tico que posee el electr&oacute;n justo afuera del material (nivel conocido como <i>E</i><sub>vac</sub>), y el nivel de Fermi que tiene dentro del material; esto es <i>&oslash; =</i>E<sub>vac</sub>&#45;<i>E<sub>F</sub></i>.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Tomando en consideraci&oacute;n estos dos conceptos, un material al que se le eleva la temperatura es capaz de ceder energ&iacute;a a los electrones, con la cual ser&aacute;n capaces de vencer la funci&oacute;n de trabajo y as&iacute; quedar libres fuera del material. La energ&iacute;a adicional con la cual cuentan los electrones permitir&aacute; que algunos de ellos se puedan trasladar a trav&eacute;s del vac&iacute;o hacia otro material (el colector), el cual se encuentra separado una distancia <i>w</i>. De esta manera se obtienen electrones libres que rodean al material emisor y electrones libres que pueden alcanzar al material colector.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Un convertidor termoi&oacute;nico (CT), consta de dos placas separadas de materiales diferentes y encapsuladas en un ambiente de vac&iacute;o, ambas placas constituyen los electrodos del convertidor. En esta estructura, el electrodo emisor tiene el nivel de Fermi inferior y en consecuencia la funci&oacute;n de trabajo mayor; mientras que, en el electrodo colector estas magnitudes son opuestas, es decir, mayor nivel de Fermi y menor funci&oacute;n de trabajo. De lo anterior se deduce que, los electrones que son recibidos en el colector, provenientes del emisor, tienen mayor energ&iacute;a que los que se encuentran en el colector; este potencial excedente se emplea para alimentar una carga conectada entre los electrodos. Idealmente se requiere que el flujo de electrones no pierda energ&iacute;a durante su trayecto; sin embargo, se presentan p&eacute;rdidas en el origen; cuando fluyen a trav&eacute;s de la regi&oacute;n interelectr&oacute;dica, y al chocar con el colector.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Para determinar la corriente neta que puede fluir del CT hacia la carga, Hatsopoulos &#91;7&#93; propuso que &eacute;sta se puede obtener sustrayendo las densidades de corriente generadas en cada uno de los electrodos. As&iacute;, empleando la ecuaci&oacute;n de Richardson&#45;Dushman para cada electrodo y para condiciones espec&iacute;ficas de temperatura y funci&oacute;n de trabajo de los electrodos, se obtiene que:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7e1.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La operaci&oacute;n ideal de un CT se presenta cuando no hay corriente inversa, es decir cuando no hay corriente fluyendo del colector hacia el emisor, esta condici&oacute;n se obtiene idealmente cuando <i>T</i><sub>c</sub> &rarr; 0 K. En este caso, el segundo t&eacute;rmino de la ecuaci&oacute;n 1a se desprecia y la magnitud de <i>J</i> para valores de <i>V</i> entre 0 y <i>(&oslash;</i><sub>e</sub><i>&#45;&oslash;</i><sub>c</sub><i>)</i>/e se mantiene constante. F&iacute;sicamente esto significa que todos los electrones emitidos por el emisor alcanzan al colector. Considerando ahora que <i>T</i><sub>c</sub> <i>&rarr; 0</i> K y adem&aacute;s que el voltaje <i>V</i> excede el valor <i>(&oslash;</i><sub>e</sub><i>&#45;&oslash;</i><sub>c</sub><i>)/e,</i> entonces el comportamiento de <i>J</i> lo define el primer t&eacute;rmino de la ecuaci&oacute;n 1b; la curva caracter&iacute;stica <i>J&#45;V</i> mostrada en la <a href="#f1">figura 1(a)</a> corresponde al caso ideal. Cuando <i>T</i>c&gt;0, debe considerarse tambi&eacute;n la corriente inversa generada por el colector y en consecuencia los segundos t&eacute;rminos de las ecuaciones 1a y 1b, en este caso la curva <i>J&#45;V</i> adopta entonces la forma mostrada en la <a href="#f1">figura 1(b)</a>; la cual muestra los detalles de una curva <i>J&#45;V</i> t&iacute;pica de un CT, es com&uacute;n en la literatura mostrar las curvas <i>J&#45;V</i> con el eje de las abscisas invertido, en este trabajo se opt&oacute; por presentar las curvas caracter&iacute;sticas del CT en el segundo cuadrante con el fin de simplificar la descripci&oacute;n del comportamiento de la impedancia interna del CT.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f1"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f1.jpg"></font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>2.&nbsp;Caracter&iacute;sticas del CT empleado para realizar las pruebas</b></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">Previamente a la realizaci&oacute;n de las pruebas experimentales; se fabric&oacute; el prototipo de un CT, que se muestra en la <a href="#f2">figura 2</a>; el cual para su operaci&oacute;n fue introducido a un sistema de alto vac&iacute;o y opera a una temperatura promedio de 1800 K en el electrodo emisor. Con el fin de generar plasma en el espacio interelectr&oacute;dico, la estructura del sistema de ultra vac&iacute;o, permite la entrada de gases. Con esta facilidad, se pueden realizar pruebas al CT en un ambiente de nitr&oacute;geno con presi&oacute;n parcial controlada (1 x 10<sup>&#45;4</sup> Torr). Este CT trabaja adem&aacute;s con distancias interelectr&oacute;dicas microm&eacute;tricas. El convertidor se mont&oacute; sobre una brida DN 35 CF; lo que permiti&oacute; instalar este dispositivo en una c&aacute;mara de vac&iacute;o, en donde las condiciones de vac&iacute;o y manejo de gases pueden ser manipulados. La <a href="#f2">figura 2</a> muestra esquem&aacute;ticamente la estructura del convertidor, se pueden observar, en el extremo izquierdo del convertidor, las conexiones externas y en el extremo derecho los elementos que componen el CT y que estar&aacute;n sometidos a vaci&oacute;; la comunicaci&oacute;n entre ambos extremos se efect&uacute;a por medio de un pasamuros cer&aacute;mico, que conserva el vac&iacute;o y resiste las altas temperaturas internas que se manejan en el convertidor.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f2"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f2.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Para conseguir las altas temperaturas de trabajo que requiere el emisor, se us&oacute; una calefactor fabricado con un folio de tantalio delgado, con un espesor <i>w</i> igual 0.075 mm, el cual por radiaci&oacute;n calienta al emisor. Encima del calefactor y separado por tubos cer&aacute;micos capilares, se coloc&oacute; el emisor del CT, este electrodo es un folio de tungsteno con un espesor de 0.5 mm y un &aacute;rea de 2 cm<sup>2</sup>. Sobre el emisor se depositaron algunos gr&aacute;nulos hechos de polvo cer&aacute;mico de MgO, con el fin de aislar el emisor del colector. El electrodo colector se fabric&oacute; de molibdeno con una funci&oacute;n de trabajo <i>&oslash;</i><sub>Mo</sub>=4.2 eV menor a la del electrodo emisor, el cual se fabric&oacute; de tungsteno con una funci&oacute;n de trabajo <i>&oslash;</i><sub>W</sub>=4.5 eV, su espesor es de 0.6 mm y tambi&eacute;n con un &aacute;rea de 2 cm<sup>2</sup>. Se usaron alambres de cromel para conectar los electrodos del CT con el exterior. Para medir la temperatura en el colector del convertidor se introdujo un termopar de cromel&#45;alumel, sobre la laminilla del colector. Se adicion&oacute; al convertidor un elemento de enfriamiento el cual permite controlar la temperatura del calefactor dentro de los niveles de operaci&oacute;n deseados. La tabla 1 presenta en forma resumida las caracter&iacute;sticas del CT; mientras que, la <a href="#f3">figura 3</a> muestra el prototipo del CT fabricado &#91;3&#93;.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f3"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f3.jpg"></font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>3.&nbsp;T&eacute;cnica desarrollada para medir la curva</b> <b><i>I&#45;V</i></b> <b>del CT en la condici&oacute;n de baja corriente</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">El CT requiere de una temperatura en el emisor suficientemente alta (&gt;1500 K), para generar una corriente apreciable hacia la carga. Con el fin de determinar la curva <i>I&#45;V</i> del CT en la condici&oacute;n de baja corriente (&asymp; 10 &micro;A), se gener&oacute; la idea de obtener de manera indirecta esta curva, empleando la caracter&iacute;stica integrativa del capacitor. La t&eacute;cnica consiste en conectar entre las terminales del CT, un capacitor C de valor conocido; es decir, se desea medir el voltaje din&aacute;mico presente en el capacitor que se est&aacute; cargando, y a partir de este voltaje, determinar la corriente din&aacute;mica.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La <a href="#f4">figura 4</a> muestra la forma de onda esperada en el capacitor de un circuito RC en configuraci&oacute;n integrativa, cuando el resistor R y el capacitor C, se mantienen constantes durante el evento.</font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f4"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f4.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La expresi&oacute;n que rige el comportamiento del voltaje en el capacitor empleado como carga, est&aacute; dada por &#91;5&#93;:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7e2.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Es posible emplear la t&eacute;cnica de cargar un capacitor para determinar el comportamiento <i>I&#45;V</i> del CT, si se cuida el adecuado acoplamiento de impedancia entre el convertidor, el capacitor empleado como carga y el Sistema de Adquisici&oacute;n de Datos o DAS por sus siglas en ingl&eacute;s (Data Acquisition System); la <a href="#f5">figura 5</a> muestra el circuito empleado para medir el voltaje din&aacute;mico en el capacitor. Como puede observarse en esta figura, el capacitor se encuentra acoplado a un amplificador operacional en la configuraci&oacute;n de <i>seguidor de voltaje</i> &#91;4&#93;, de esta manera se puede transferir el voltaje din&aacute;mico del capacitor hacia la tarjeta DAS, sin que &eacute;sta afecte el voltaje presente en el capacitor; en este circuito, Ri es la resistencia interna del CT. La <a href="#f6">figura 6</a> muestra el arreglo completo desarrollado para determinar la curva <i>I&#45;V</i> del CT en la condici&oacute;n de baja corriente; los datos capturados por la tarjeta DAS son enviados a la PC para su procesamiento. Como se puede observar en el arreglo de la <a href="#f6">figura 6</a>, los datos capturados corresponden &uacute;nicamente al voltaje <i>v</i><sub>C</sub>(t) presente en el capacitor; sin embargo, si se deriva este voltaje con respecto al tiempo de acuerdo con la expresi&oacute;n:</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7e3.jpg"></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f5"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f5.jpg"></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f6"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f6.jpg"></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="justify"><font face="verdana" size="2">se obtiene la corriente <i>i</i><sub>C</sub>(t) que genera el CT para diferentes condiciones de voltaje entre las terminales del convertidor. Esta ecuaci&oacute;n expresa la relaci&oacute;n que existe entre el voltaje y la corriente presentes en el capacitor &#91;5&#93;. La corriente as&iacute; obtenida corresponde a la corriente que genera el CT dado que, el capacitor se encuentra conectado en serie con el convertidor. Una vez conocida la magnitud del voltaje y de la corriente, presentes en el capacitor para cada momento, y en virtud de que las terminales del capacitor y del CT coinciden, es posible graficar la curva caracter&iacute;stica <i>I&#45;V</i> del CT con estas mismas variables. Esta t&eacute;cnica requiere necesariamente que la <i>corriente de fuga</i> &#91;4&#93; del capacitor sea mucho menor que la corriente que est&aacute; generando el convertidor para que la ecuaci&oacute;n 3 sea v&aacute;lida &#91;6&#93;.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Es importante se&ntilde;alar que el empleo de esta t&eacute;cnica &uacute;nicamente proporcionar&aacute; informaci&oacute;n sobre el comportamiento del CT en el segundo cuadrante debido a que, el voltaje presente entre las terminales del convertidor puede variar entre cero volts y un voltaje negativo m&aacute;ximo; es decir, el comportamiento del voltaje presente entre las terminales del convertidor es exclusivamente negativo. Cuando el voltaje definido por la curva caracter&iacute;stica del CT coincide con el valor de cero volts, la condici&oacute;n de operaci&oacute;n del convertidor corresponde a un corto circuito; mientras que, el voltaje negativo m&aacute;ximo corresponde a la condici&oacute;n de circuito abierto.</font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">La curva caracter&iacute;stica esperada para el CT, se manifestar&aacute; como una recta, si la impedancia interna del convertidor se mantiene constante, y se obtendr&aacute; una curva con variaciones en su pendiente, si la impedancia interna cambia; tal es el caso de la curva caracter&iacute;stica del CT mostrada en la <a href="#f7">figura 7</a>, la cual muestra las curvas caracter&iacute;sticas para los tres modos de operaci&oacute;n y su comparaci&oacute;n con la curva caracter&iacute;stica ideal. En esta figura se presenta preferentemente el comportamiento de la corriente en lugar de la densidad, con el fin de establecer una referencia al modelo el&eacute;ctrico &#91;1&#93;, tambi&eacute;n se muestra la magnitud de la densidad de potencia que se genera para la condici&oacute;n de m&aacute;xima eficiencia, representada en la <a href="#f7">figura 7</a>, donde se observa adem&aacute;s, el desplazamiento a la izquierda, esto debido a la presencia de una atmosfera gaseosa, como puede ser nitr&oacute;geno, presente entre los electrodos.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f7"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f7.jpg"></font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>4. Pruebas y resultados</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Las pruebas efectuadas al CT fabricado con electrodos met&aacute;licos (W y Mo), se redujeron a determinar el voltaje din&aacute;mico presente en el capacitor C<sub>L</sub> de 10 <i>&micro;</i>F empleado como carga de acuerdo a los arreglos mostrados por las <a href="#f5">figuras 5</a> y <a href="#f6">6</a>. La prueba consiste b&aacute;sicamente en cargar un capacitor de valor conocido directamente con el convertidor acoplado entre sus terminales. La familia de curvas as&iacute; obtenida se muestra en la <a href="#f8">figura 8</a>, en donde el par&aacute;metro es la temperatura medida en el colector (ver <a href="#f3">figura 3</a>). El incremento de temperatura medido en el colector, manifiesta indirectamente que la temperatura del emisor tambi&eacute;n se increment&oacute;. Como era de esperarse, a mayor temperatura en el emisor, mayor es la emisi&oacute;n electr&oacute;nica en este electrodo y por lo tanto, menor es el tiempo requerido por el sistema CT&#45;Capacitor para alcanzar la condici&oacute;n de estado estable. Desde el punto de vista de la teor&iacute;a de circuitos esto significa que la impedancia interna del CT se reduce con el incremento de temperatura en el emisor &#91;7&#93;. Tambi&eacute;n se puede observar en la <a href="#f8">figura 8</a> que, el voltaje m&aacute;ximo que alcanza el capacitor en estado estable, aumenta conforme se incrementa la temperatura de los electrodos, inclusive se llega a alcanzar un voltaje de 1.3 V para T<sub>c</sub>= 1003 K. A este respecto se hace la siguiente observaci&oacute;n: el potencial de salida esperado para el CT es de 0.3 V, lo cual corresponde a la sustracci&oacute;n de las funciones de trabajo de los electrodos emisor y colector (<i>&oslash;</i><sub>W</sub> = 4.5 eV y <i>&oslash;</i><sub>Mo</sub>= 4.2 eV). Para explicar la diferencia obtenida se plantean dos hip&oacute;tesis; en primer lugar se considera que, la funci&oacute;n de trabajo del molibdeno se pudo haber reducido con el aumento de temperatura, inclusive hasta un valor de 3.2 eV. Esta hip&oacute;tesis no se confirm&oacute;, pues las tablas de funciones de trabajo revisadas para el molibdeno en ning&uacute;n caso manifiestan tal reducci&oacute;n de la funci&oacute;n de trabajo &#91;8&#93;. Cabe aun la posibilidad de que se haya formado una peque&ntilde;a pel&iacute;cula de &oacute;xido sobre el molibdeno, en este caso s&iacute; se justificar&iacute;a una funci&oacute;n de trabajo en el colector del orden de 4 eV &#91;9&#93;. En la segunda hip&oacute;tesis se considera que, el potencial excedente de 1.0 V se debe a que una fracci&oacute;n de los electrones libres generados en el emisor cuentan con una energ&iacute;a cin&eacute;tica mayor a la energ&iacute;a equivalente a la funci&oacute;n de trabajo del tungsteno y como consecuencia con un mayor potencial. Esta hip&oacute;tesis se confirmar&iacute;a si la curva caracter&iacute;stica <i>I&#45;V</i> del CT, tuviera un levantamiento exponencial lo cual significar&iacute;a que pocos electrones emitidos por el emisor contar&iacute;an con una energ&iacute;a superior a la funci&oacute;n de trabajo del emisor; sin embargo, seg&uacute;n se puede apreciar en la <a href="#f9">figura 9</a>, las curvas caracter&iacute;sticas <i>I&#45;V</i> obtenidas por la t&eacute;cnica de cargar un capacitor, solo dan informaci&oacute;n parcial de las curvas caracter&iacute;sticas, y por lo tanto no es posible observar el levantamiento exponencial de la curva. Es necesario adem&aacute;s, para observar el levantamiento de la curva, que el colector se mantenga fr&iacute;o; a fin de que no se presente la corriente inversa proveniente del colector (ver <a href="#f1">figura 1</a>). Se considera que esta &uacute;ltima hip&oacute;tesis es la explicaci&oacute;n m&aacute;s consistente. Un an&aacute;lisis adicional de la familia de curvas mostrada en la <a href="#f9">figura 9</a> manifiesta que, conforme la temperatura medida en el colector aumenta, tambi&eacute;n aumenta la pendiente de las curvas <i>I&#45;V</i> del CT, en consecuencia, disminuye la impedancia interna del convertidor; este es el motivo por el cual el capacitor se carga en menos tiempo. La <a href="#f9">figura 9</a> tambi&eacute;n da informaci&oacute;n sobre el voltaje generado por el convertidor; la magnitud de este voltaje para diferentes condiciones de temperatura se puede determinar directamente de las curvas <i>I&#45;V</i> cuando &eacute;stas cruzan el eje de las abscisas. Es notorio adem&aacute;s el deslizamiento de las curvas <i>I&#45;V</i> del CT conforme se incrementa la temperatura, esto significa en t&eacute;rminos generales que, conforme aumenta la temperatura, la potencia generada por el convertidor tambi&eacute;n aumenta.</font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f8"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f8.jpg"></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font face="verdana" size="2"><a name="f9"></a></font></p>  	    <p align="center"><font face="verdana" size="2"><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7f9.jpg"></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Por otra parte, aunque para medir la temperatura en el interior del CT, se emple&oacute; un termopar colocado directamente en el colector del CT, la magnitud as&iacute; obtenida se tom&oacute; &uacute;nicamente como una primera aproximaci&oacute;n, pues seg&uacute;n se analiz&oacute; te&oacute;ricamente, para obtener las magnitudes de las corrientes mostradas en la <a href="#f8">figura 8</a>, se requiere que las temperaturas de trabajo en el emisor sean superiores a 1800 K. La magnitud de este par&aacute;metro no se puede determinar directamente de la temperatura medida en el colector. Por esta raz&oacute;n se opt&oacute; por medir la temperatura de los electrodos emisor y colector en forma indirecta, por medio de la ecuaci&oacute;n de Richardson&#45;Dushman <i><img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7e4.jpg"></i> donde: <img src="/img/revistas/sv/v27n1/a7e5.jpg"> ; empleando para esto, las corrientes de saturaci&oacute;n medidas y la funci&oacute;n de trabajo de los electrodos.</font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>5. Conclusiones</b></font></p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2">Se presenta un m&eacute;todo sencillo para medir magnitudes peque&ntilde;as de corriente en un CT. Se observa que fue posible obtener la familia de curvas caracter&iacute;sticas del CT para diferentes condiciones de temperatura. Fue posible tambi&eacute;n determinar para cada caso los voltajes de circuito abierto y las corrientes de corto circuito. No se encontr&oacute; inconveniente alguno para medir peque&ntilde;as corrientes que, en este caso, el valor m&iacute;nimo fue del orden de 10 &micro;A. El m&eacute;todo se puede extender a la medici&oacute;n de otro tipo de dispositivos como son; por ejemplo, las celdas fotoel&eacute;ctricas.</font></p>  	    <p>&nbsp;</p>  	    <p align="justify"><font face="verdana" size="2"><b>Referencias</b></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;1&#93; G. P&eacute;rez, A. E. Jim&eacute;nez&#45;Gonz&aacute;lez, Electrical circuit model for thermionic converters, Energy Conversi&oacute;n &amp; Management, <b>42,</b> 1 (2001).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703591&pid=S1665-3521201400010000700001&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;2&#93; C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, Jhon Wiley and sons, Inc., Sixth edition, (New York, 1986).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703593&pid=S1665-3521201400010000700002&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;3&#93; G. P&eacute;rez Luna, Tesis Doctoral; Desarrollo de un Generador Termoi&oacute;nico de Corriente Alterna, UNAM, (M&eacute;xico 2001), p. 44.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703595&pid=S1665-3521201400010000700003&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;4&#93; Sedra y K.C. Smith, "Dispositivos Electr&oacute;nicos y Amplificaci&oacute;n de Se&ntilde;ales", Ed. Interamericana, (M&eacute;xico 1987).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703597&pid=S1665-3521201400010000700004&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;5&#93; W. H. Hayt, Jr. / J. E. Kemmerly, An&aacute;lisis de Circuitos en Ingenier&iacute;a, Cuarta edici&oacute;n McGraw Hill, (M&eacute;xico 1988), p.131.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703599&pid=S1665-3521201400010000700005&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;6&#93; C. J. Kaiser, <i>The Capacitor Handbook,</i> (New York, 1993).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703601&pid=S1665-3521201400010000700006&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;7&#93; G. N. Hatsopoulos, E. P. Gyftopoulos, Thermionic Energy Conversion, Vol I: Processes and Devices, MIT Press, Cambridge, (Massachusetts 1973).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703603&pid=S1665-3521201400010000700007&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;8&#93; V. S. Fomenko, Handbook of thermionic properties, Ed. Plenum Press Data Division, (New York 1966).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703605&pid=S1665-3521201400010000700008&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>  	    <!-- ref --><p align="justify"><font face="verdana" size="2">&#91;9&#93; A. E. Jim&eacute;nez, Ph&auml;nomenologische und Spektroskopische Charakterisieerung von Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> &#45; Modell Katalysatoren, Dissertation, Eberhard&#45;Karls&#45;Universit&auml;t zu T&uuml;bingen, (1989).    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=9703607&pid=S1665-3521201400010000700009&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --></font></p>      ]]></body><back>
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