Propiedades de transporte en el transistor δ-FET
O. Oubramª, L. Cisneros-Villalobosª, L. M. Gaggero-Sagerb y M. Abatalc
a Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62209, Cuernavaca, Morelos, México. e-mail: oubram@uaem.mx; luis.cisneros@uaem.mx
b Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62209, Cuernavaca, Morelos, México.
c Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma del Carmen, 24180, Ciudad del Carmen, Campeche, México; e-mail: mabatal@pampano.unacar.mx
]]>Received 14 August 2013.
Accepted 11 September 2013.
Resumen
El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura.
Descriptores: Transporte; movilidad; conductividad; transistor; δ-FET.
Abstract
Electron transport in the δ-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of δ-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-insensitive devices.
]]> Keywords: Transport; mobility; conductivity; transistor; δ-FET.
PACS: 73.63.-b; 72.80.Ey; 85.30.Tv; 73.20.-r
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Referencias
1. K. Ploog, M. Hauser y A. Fischer, Appl. Phys. A. 45 (1988) 233. [ Links ]
2. E. F. Schubert, A. Fischer y K. Ploog, IEEE Trans. Electron Devices 33 (1986) 625. [ Links ]
3. E. Ozturk y Y. Ozdemir, Opt. Commun. 294 (2013) 361. [ Links ]
4. G. Chicot, T. N. Tran Thi, A. Fiori, F. Jomard, E. Gheeraert, E. Bustarret, y J. Pernot, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 162101. [ Links ]
5. R. S. Balmer, I. Friel, S. Hepplestone, J. Isberg, M. J. Uren, M. L. Markham, y R. Lang, J. Appl. Phys. 113 (2013) 033702. [ Links ]
6. O. Oubram, L. M. Gaggero-Sager, A. Bassam, y G. A. Luna Acosta, PIER 110 (2010) 59. [ Links ]
7. O. Oubram, O. Navarro, L.M. Gaggero-Sager, J. C. Martínez-Orozco, y I. Rodríguez-Vargas, Sol. Stat. Sci. 14 (2012) 440. [ Links ]
8. O. Oubram, L. M. Gaggero-Sager, O. Navarro, y M. Ouadou, PIER 118 (2011)37. [ Links ]
9. J. G. Rojas-Briserio, J. C. Martínez-Orozco, I. Rodríguez-Vargas, M. E. Mora-Ramos, y C. A. Duque, Physica B 424 (2013) 13. [ Links ]
10. L. M. Gaggero-Sager, J. C. M Peko, y R. Pérez-Alvarez, Rev. Mex. Fis. 47 (2001) 153. [ Links ]
11. D. h. Luo et al. Nano. Res. Lett. 6 (2011) 139. [ Links ]
12. S. J. Wang, S. L. Wu, F. Y. Yuh, y C. Y. Cheng, Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2429. [ Links ]
13. K. Ng. Kwok, IEEE Trans. Electron Device 43 (1996) 1760. [ Links ]
14. L. M. Gaggero-Sager, y R. PeÍrez-Alvarez, J. Appl. Phys. 78 (1995) 4566. [ Links ]
15. I. Rodríguez-Vargas, L. M. Gaggero-Sager, y V. R. Velasco, Surf. Sci. 537 (2003) 75. [ Links ]
]]>