Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa₂Se₄       

J. Marquina, Ch. Power, M. Quintero y J. González

Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de los Andes, Mérida 5251, Venezuela e–mail: jesusg@ula.ve, marquinajesus@yahoo.es.

Recibido el 24 de noviembre de 2004
Aceptado el 20 de abril de 2004

Resumen

En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa₂Se₄ en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón–fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.

Descriptores: Semiconductores; anarmonicidad; temperatura; dispersión inelástica de la radiación.

Abstract

We have measured the temperature dependence of the first–order Raman scattering of MnGa₂Se₄ single–crystals in the range 4–700 K. The analysis of the temperature dependence of the optical phonons shows that the Raman shift is successfully modeled by including thermal expansion and phonon–phonon coupling. The pure temperature contribution is dominated by the cubic interactions (three–phonon coupling). Four– phonon coupling (quartic interaction) is less important.

Keywords: Semiconductors; anharmonicity; temperature; inelastic light scattering.

PACS: 63.20.Kr; 63.20.Ry; 78.30.Hv

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Agradecimientos

Los autores agradecen al FONACIT (Proyecto F–2005000214, Venezuela) y el CDCHT–ULA (proyecto C–1255–04–05–AA) por el financiamiento parcial otorgado para este trabajo.

Referencias

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