Effect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontacts

M.O. Vorobets

Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures, Chernivtsi National University, 2 Kotsubynsky Str., 58012 Chernivtsi, Ukraine e–mail: maxver@i.ua

Recibido el 21 de enero de 2010
Aceptado el 21 de septiembre de 2010

Abstract

Barrier structures were produced using optical contact between the indium and gallium selenides. The effect of mechanical pressure ranging from 0 to 100 kPa on the electrical properties of the GaSe/InSe heterocontacts was investigated. The data was analyzed assuming the SIS (semiconductor — insulator — semiconductor) model. Using this model we were able to explain the current — voltage dependence. It was found that the modification of heteroboundary significantly affects the electric transport.

Keywords: Semiconductors; heterostructures; electrical properties.

Resumen

Se formaron estructuras barreras usando contactos ópticas entre dos semiconductores de GaSe y InSe. El efecto de la presión mecánico desde 0 hasta 100 kPa sobre las propiedades eléctricas de los heterocontactos de GaSe/InSe fue investigado. Los resultados son analizados considerando el modelo de semiconductor — aislador — semiconductor. Utilizando este modelo, explicamos las caraterísticas corriente — voltaje. Se encontró que la modificación de heterofrontera afectan significativamente el transporte eléctrico.

Descriptores: Semiconductores; heteroestructuras; propiedades eléctricas.

PACS: 73.40.Lq

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References

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