SciELO - Scientific Electronic Library Online

 
vol.12 número1Estimation of LiBr-H20 Using Multimode Interference (MMI)Experimental Synchronization by Means of Observers índice de autoresíndice de assuntospesquisa de artigos
Home Pagelista alfabética de periódicos  

Serviços Personalizados

Journal

Artigo

Indicadores

Links relacionados

  • Não possue artigos similaresSimilares em SciELO

Compartilhar


Journal of applied research and technology

versão On-line ISSN 2448-6736versão impressa ISSN 1665-6423

J. appl. res. technol vol.12 no.1 Ciudad de México Fev. 2014

 

Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver

 

A. Vera-Marquina*1, J. Martínez-Castillo2, I. E. Zaldívar-Huerta3, A. Díaz-Sánchez3

 

1 Departamento de Investigación en Física Universidad de Sonora Hermosillo, Sonora, México. *avera@guaymas.uson.mx

2 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología Universidad Veracruzana Boca del Río, Veracruz, México.

3 Departamento de Electrónica Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica Tonantzintla, Puebla, México.

 

Abstract

This work describes the optical and electrical characterization of an integrated optoelectronic receiver. The receiver is composed of a photodiode and a transimpedance amplifier, both fabricated in silicon technology using a 0.8 μm BiCMOS process. The total area occupied by the photodiode is of 10,000 μm2. In a first step, the generated photocurrent of the photodiode is measured for the wavelengths of 780 nm and 830 nm at different levels of optical power. In a second step, the responsivity and quantum efficiency parameters of the photodiode are computed. Finally, an electrical measurement including the transimpedance amplifier is achieved. A potential application for this optoelectronic receiver is on the first optical communications window.

Keywords: Optoelectronic receiver, photodiode, optoelectronic integrated circuit, BiCMOS.

 

Resumen

Este artículo describe la caracterización óptica y eléctrica de un receptor optoelectrónico integrado. El receptor comprende un fotodiodo y un amplificador de transimpedancia, ambos fabricados en silicio utilizando tecnología de proceso BiCMOS de 0.8 μm. El área total utilizada por el fotodiodo es de 10,000 μm2. Inicialmente, se mide la fotocorriente generada por el fotodiodo para las longitudes de onda de 780 nm y 830 nm a diferentes niveles de potencia óptica. Posteriormente, se calculan los parámetros de responsividad y eficiencia cuántica del fotodiodo. Finalmente, se realiza una medición eléctrica que involucra al amplificador de transimpedancia. Una aplicación potencial para este receptor optoelectrónico se encuentra en la primera ventana de comunicaciones ópticas.

 

DESCARGAR ARTÍCULO EN FORMATO PDF

 

References

[1] R. Soref, Applications of silicon-based optoelectronics, MRS Bull., 1998, pp. 20-24.         [ Links ]

[2] S. Radovanovic, A.J. Annema, B. Nauta, 3Gb/s monolithically integrated photodiode and pre-amplifier in standard 0.18 urn CMOS, Proceedings of the IEEE Solid-State Circuit Conference, 2004, Vol. 1, pp. 472-540.         [ Links ]

[3] F. Aznar, S. Celma, B. Calvo, A 0.18 μm CMOS 1.25 Gbps front-end receiver for low-cost short reach optical communications, Proceedings of the IEEE 36th European Solid-State Circuits Conference, Vol. 1, 2010, pp. 554-557.         [ Links ]

[4] T. Heide, A. Ghazi, H. Zimmermann, and P. Seegebrech, Monolithic CMOS Photoreceivers for Short-Range Optical Data Communications, Electronics Letters, Vol. 35, 2000, pp. 1655-1656.         [ Links ]

[5] S. Radovanovic, A.J. Annema, B. Nauta, Bandwith of integrated photodiodes in standard CMOS for CD/DVD applications, Microelectronics Reliability, Vol. 45, 2005, pp. 705-710.         [ Links ]

[6] J. Martínez-Castillo, P. García-Ramírez, and A. Díaz-Sánchez, "Two MOS Opto-Electronic Structures for High-Frequency Applications", XX Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, DCIS 2005, Lisboa, Portugal.         [ Links ]

[7] Gerd Keiser, Optical Fiber Communications, McGraw-Hill, 2010, pp. 244-249.         [ Links ]

Creative Commons License Todo o conteúdo deste periódico, exceto onde está identificado, está licenciado sob uma Licença Creative Commons