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Journal of applied research and technology

versión On-line ISSN 2448-6736versión impresa ISSN 1665-6423

J. appl. res. technol vol.3 no.1 Ciudad de México abr. 2005

 

Performance of a MFS-based mosfet for low temperature applications

 

P.J. García-Ramírez1 & F. Sandoval-lbarra2

 

1 Facultad de Ingeniería de la Universidad Veracruzana, Calzada Ruiz-Cortinez # 455, Boca del Río, Veracruz México & Universidad Cristóbal Colón, Carretera La Boticaria s/n Veracruz, Veracruz, México. jagarcia@uv.mx

2 CINVESTAV, Guadalajara Unit, Prol. Av. López-Mateos Sur # 590, 45235 Guadalajara, Jalisco, México. sandoval@cts-design.com

 

Received: November 7th, 2003.
Accepted: February 25th.

 

Abstract

A split-drain MAGFET has been designed for detecting magnetic fields at very low temperature. In this design a key parameter is the Hall angle, which indicates the current line deviation due to the Lorentz force acting on the charge carriers. It is well known that reducing the work temperature the carrier mobility increases, therefore an increase in carrier deflection is expected. As a consequence the split-drain MAGFET is able to detect magnetic fields below 1mT at 77K with low power consumption. Experimental results of a wide temperature range (20K<T≤300K) are presented.

Keywords: Sensors, Integrated circuits.

 

Resumen

Un sensor MAGFET de separación de drenajes es diseñado para detectar campos magnéticos a muy bajas temperaturas. En este diseño el parámetro base es el ángulo-Hall, el cual proporciona una variación en corriente debida a la fuerza de Lorentz que actúa sobre los portadores en movimiento. Es bien sabido que reduciendo la temperatura de trabajo se incrementa la movilidad de portadores, por tal razón se espera un incremento en la variación en corriente. En consecuencia, el MAGFET es capaz de detectar campos magnéticos menores a 1mT a una temperatura de 77K con bajo consumo de potencia. Se presentan resultados experimentales en un rango de 77K a 300K.

 

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