Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso

 

M. A. Vásquez-A^*, G. Romero-Paredes y R. Peña-Sierra

 

Departamento de Ingeniería Eléctrica, SEES del CINVESTAV-IPN Apartado Postal 14-740, 07000 México D. F.^*mava_vasquez@yahoo.com

 

Recibido: 27 de septiembre de 2010;
Aceptado: 18 de enero de 2011

 

Resumen

Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 Ωcm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de 4.48 x 10⁹ Ω-cm. El transporte de carga en la PSiP está limitado por regiones de carga espacial (SCL), debido a la carga atrapada en los diversos estados de defecto. Se encontró que de acuerdo al modo de polarización y a la magnitud del potencial aplicado a la estructura planar, se induce la participación de centros de defecto profundos ocasionando que la densidad de trampas N_t, cambie.

Palabras clave: Películas de silicio poroso (PSiP); Características eléctricas; Mecanismo de transporte SCL.

 

Abstract

The transport mechanisms in Porous Silicon Layer (PSL) were identified by Current-Voltage (I-V) measurements. The PSL was made by anodic etching of p-type crystalline (100) Si wafers and resistivity of 1-5 Ω-cm. The electrical resistivity measured of the PSL was of 4.48 x 10⁹ Ω-cm. The carrier transport in the PSL is space charge limited (SCL) due to the trapped charge in the different defect states. Furthermore, it was found that in accordance with the bias mode and the magnitude of the applied bias to the structure, the change in the charge state of the deep defect centers cause changes in the trap density, N_t.

Keywords: Porous silicon layers; Electrical characteristics; Space charge limited regime; Current transport mechanisms.

 

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Agradecimientos

Este trabajo fue apoyado parcialmente por el CONACYT con el proyecto 49860. Los autores desean agradecer al M. C. Miguel Galván Arellano por el amplio apoyo técnico en las mediciones eléctricas realizadas.

 

Referencias

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Nota

The Editors thank to the Physics Department of the Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN for the support in the publication of this issue, and the cooperation of M en C. Alejandra García Sotelo and Eng. Erasmo Gómez.