SciELO - Scientific Electronic Library Online

 
vol.19 número3Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblendaStructural and electro-thermal analysis of a magnetic resonant sensor structure based on Lorentz force índice de autoresíndice de assuntospesquisa de artigos
Home Pagelista alfabética de periódicos  

Serviços Personalizados

Journal

Artigo

Indicadores

Links relacionados

  • Não possue artigos similaresSimilares em SciELO

Compartilhar


Superficies y vacío

versão impressa ISSN 1665-3521

Superf. vacío vol.19 no.3 Ciudad de México Set. 2006

 

Espectro electrónico de pozos rectangulares con variaciones del potencial

 

A. Enciso-Muñoz, S. J. Vlaev, I. Alvarado Perea

 

Unidad Académica de Física, UAZ, Calzada Solidaridad Esquina con Paseo la Bufa, Zacatecas 98060, ZAC., México

 

Recibido: 12 de marzo de 2006.
Aceptado: 17 de agosto de 2006.

 

Resumen

Los pozos cuánticos rectangulares poseen imperfecciones en su estructura cristalina y su composición química, obtenidas en el proceso del crecimiento. El potencial en la región del pozo puede tener variaciones alrededor de su valor constante, causadas por los cambios en las condiciones experimentales. El objetivo del presente trabajo es estudiar el efecto de estas variaciones sobre los estados electrónicos confinados. Consideramos cambios aleatorios, en intervalos determinados, de las condiciones experimentales y calculamos las energías y las distribuciones espaciales de los estados electrónicos, así como las energías de las transiciones ópticas entre ellos.

Palabras clave: Heteroestructuras; Pozos cuánticos; Potenciales aleatorios.

 

Abstract

The quantum rectangular wells possess imperfections in their crystalline structure and their chemical composition obtained in the growth process. The potential in the well region may have variations around its constant value, caused by the changes under the experimental conditions. The objective of the present work is to study the effect of these variations on the electronic confined states. We consider random changes in certain intervals of the experimental conditions and we calculate the energies and the spatial distributions of the electronic states as well as the energies of the optic transitions between them.

Keywords: Heterostructures; Quantum Wells; Random potentials.

 

DESCARGAR ARTÍCULO EN FORMATO PDF

 

Referencias

[1] S. Vlaev, D. A. Contreras-Solorio. Journal of Applied Physics, 82, 3853 (1997).         [ Links ]

[2] S.Vlaev, V.R. Velasco and F. García-Moliner. Physical Review B, 49, 11222 (1994).         [ Links ]

[3] Stoyan J. Vlaev and Victor R. Velasco. Proceedings of the 9th Latin American Congress "Surface Science and its Applications", La Habana, Cuba, 5-9 July 1999; World Scientific, ISBN 981-02-4396-0, 259 (2000).         [ Links ]

[4] N. Shtinkov and S. J. Vlaev. Phys. Stat. Sol. (b), 241, R11 (2004).         [ Links ] 1. S. Vlaev, D. A. Contreras-Solorio. Journal of Applied Physics, 82, 3853 (1997).         [ Links ]

[5] Jasprit Singh Physics of semiconductors and their heteroestructures, (New York, McGraw-Hill, 1993).         [ Links ]

Creative Commons License Todo o conteúdo deste periódico, exceto onde está identificado, está licenciado sob uma Licença Creative Commons