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Superficies y vacío

versão impressa ISSN 1665-3521

Superf. vacío vol.18 no.4 México Dez. 2005

 

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Fabricación de guías de onda ópticas en silicio utilizando óxido de silicio y nitruro de silicio

Rosa Chávez Velázquez* 

Ignacio Zaldívar Huerta* 

Claudia Reyes Betanzo* 

Alejandro Díaz Sánchez* 

* Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE), Depto. de Electrónica. Apartado Postal 51 y 216, Puebla, 72000, México.


Resumen

Se diseñaron y fabricaron guías de onda ópticas planares de índice abrupto utilizando películas de óxido de silicio (SiO2) y nitruro de silicio (Si3N4) obtenidas por técnica PECVD. Debido a las características ópticas, mecánicas y eléctricas, se eligió el silicio como material de sustrato. Pruebas de transmitancia de luz a una longitud de onda de 650 nm fueron realizadas con éxito. La fabricación de guías ópticas es completamente compatible con el proceso CMOS, por lo que se abre la posibilidad de realizar la integración de componentes ópticos y electrónicos en un mismo substrato de silicio.

Palabras clave: Óptica integrada; Guías ópticas integradas; PECVD; Comunicaciones ópticas

Abstract

Planar optical waveguides of abrupt index refraction, using oxide silicon (SiO2) and silicon nitride (Si3N4) films obtained by means of PECVD technique were designed and realized. Optical, mechanicals and electrics characteristics were considered to selected silicon as substrate material. Testing of transmittance for a wavelength of 650 nm was successfully realized. The proposed optical waveguides are fully compatible with the CMOS fabrication process of the INAOE’s laboratory. Obtained results allows the integration of optical and electronics devices in a shared silicon substrate.

Keywords: Integrated optics; Integrated optical waveguides; PECVD; Optical communications

Texto completo disponible sólo en PDF.

Referencias

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[5] & S. M. Sze, VLSI Technology, (McGraw-Hill, USA, 1983). [ Links ]

Recibido: 30 de Septiembre de 2005; Aprobado: 26 de Octubre de 2005

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