Investigación

 

Propiedades de transporte en el transistor δ-FET

 

O. Oubramª, L. Cisneros-Villalobosª, L. M. Gaggero-Sager^b y M. Abatal^c

 

^a Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62209, Cuernavaca, Morelos, México. e-mail: oubram@uaem.mx; luis.cisneros@uaem.mx

^b Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62209, Cuernavaca, Morelos, México.

^c Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma del Carmen, 24180, Ciudad del Carmen, Campeche, México; e-mail: mabatal@pampano.unacar.mx

 

Received 14 August 2013.
Accepted 11 September 2013.

 

Resumen

El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura.

Descriptores: Transporte; movilidad; conductividad; transistor; δ-FET.

 

Abstract

Electron transport in the δ-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of δ-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-insensitive devices.

Keywords: Transport; mobility; conductivity; transistor; δ-FET.

 

PACS: 73.63.-b; 72.80.Ey; 85.30.Tv; 73.20.-r

 

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