Investigación

 

Non–stationary response of photorefractive crystal under an external sinusoidal electric field

 

O. Salas–Torres^a, A. Zúñiga–Segundo^a, and L.F. Magaña–Solís^b

 

^a Departamento de Física, Escuela Superior de Física y Matemáticas, Edificio 9, Unidad Profesional Adolfo López Mateos, 07738, México, D.F., Mexico.

^b Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 20–364, México, D.F., 01000 México.

 

Recibido el 25 de abril de 2011.
Aceptado el 2 de marzo de 2012.

 

Abstract

We calculated the non–stationary holographic current arising in a photorefractive crystal illuminated by a vibrating sinusoidal pattern along with an external sinusoidal electric field applied to the sample. We first solved numerically the set of nonlinear material rate differential equations to find the full overall space charged field and the mobile carrier density for a photorefractive BSO crystal. With these results we calculated the photocurrent, which is found to be in good agreement with corresponding values obtained from holographic experiments performed with similar samples.

Keywords: Photorefractive gratings; photo–EMF; non–linear optics.

 

Resumen

Calculamos la corriente que fluye en un cristal fotorefractivo cuando es iluminado por un patrón de interferencia móvil junto con un campo eléctrico externo sinusoidal. Resolvemos primeramente las ecuaciones diferenciales del cristal fotorefractivo BSO con el fin de encontrar el campo de carga espacial y la densidad de portadores móviles. Con estos resultados calculamos la corriente que fluye en el medio, encontramos una buena concordancia entre los valores obtenidos y los reportados en experimentos con muestras similares.

Descriptores: Rejillas fotorrefractivas; foto–FEM; óptica no lineal.

 

PACS: 42.70.Nq; 42.40.Eq; 42.40.Pa; 78.20.Jq

 

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6. Acknowledgments

A.Z.S. would like to thank S. Barraza–Lopez (UARK), A. Khomenko and N. Korneev for their fruitful discussions, as well as H. Moya–Cessa for his hospitality at INAOE where these ideas were developed. We thank SIP–IPN grant 20120303.

 

References

1. M.P. Petrov, I.A. Sokolov, S.I. Stepanov, and G.S. Trofimov, J Appl.Phys. 68 (1990)216.         [ Links ]

2. I.A. Sokolov and S.I. Stepanov, J. Opt. Soc. Am. B 10 (1993) 1483.         [ Links ]

3. M. Bryushinin, V. Golubev, Y. Kumzerov, D. Kurdyukov, and I. Sokolov, Applied Physics B: Lasers and Optics 95 (2009) 489.         [ Links ]

4. M. C. Gather, S. Mansurova, and K. Meerholz, Phys. Rev. B 75 (2007) 165203.         [ Links ]

5. S. Mansurova, K. Meerholz, E. Sliwinska, U. Hartwig, and K. Buse, Phys. Rev. B 79 (2009) 174208.         [ Links ]

6. M.P. Petrov, V.V. Bryksin, H. Vogt, F. Rahe, and E. Krätzig, Phys. Rev. B 66 (2002) 085107.         [ Links ]

7. M. Bryushinin, V. Kulikov, and I. Sokolov, Phys. Rev. B 65 (2002) 245204.         [ Links ]

8. N.V. Kukhtarev, V.B. Markov, S.G. Odulov, M.S. Soskin, and V.L. Vinetskii, Ferroelectrics 23 (1979) 949.         [ Links ]

9. N.V. Kukhtarev, T. Kukhtareva, and P.P. Banerjee, Proceedings of the IEEE 87 (1999) 1857.         [ Links ]

10. L.F. Magana, I. Casar and J.G. Murillo, Opt. Mater. 30 (2008) 979.         [ Links ]

11. J.G. Murillo, L.F. Magana, M. Carrascosa, and F. Agulló–López, J. Appl. Phys. 78 (1995) 5686.         [ Links ]

12. S.I. Stepanov, "Photo–electromotive–force effect in semiconductors", in Semiconductor Devices, H. S. Nalwa, ed., Vol. 2 of Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, Chap. 6, (Academic, San Diego, Calif., 2001) pp. 205272.         [ Links ]