The effect of Er³⁺ doping on the physical properties of CdSe thin films deposited by chemical bath

 

R.B. López–Floresª, O. Portillo–Moreno^b, R. Lozada–Morales^c, R. Palomino–Merino^c, M.A. Hernández Espinosa^d, N. Korneev Zabello^e, A.G. Rojas Hernández^e , S.A. Tomas^f and O. Zelaya–Angel^f

 

ª Facultad de Cs. de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 72570, 18 Sur y Av. Sn Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México.

^b Facultad de Ciencias Químicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 72570, 18 Sur y Av. Sn Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México.

^c Facultad de Ciencias Físico–Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 72570, 18 Sur y Av. Sn Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México.

^d Depto de Inv en Zeolitas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 72570, 18 Sur y Av. Sn Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México.

^e Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Apartado Postal 51 y 216, c.p. 72000, Puebla, Puebla, México.

^f Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14– 740, 07360 México D.F, México.

 

Recibido el 27 de octubre de 2004
Aceptado el 1 de junio de 2005

 

Abstract

CdSe thin films were prepared by a chemical bath on glass substrates and doped with erbium during the growing process at 70°C. Eight impurity levels were obtained by changing the relative volume of the salt solution containing Er in the total CdSe growing solution. The relative volume of the Er–salt solution had the values: 2, 5, 8, 10, 15, 18, 25 and 30%. The electrical, structural, optical and photoconductive properties were characterized. Important changes in the energy band gap, in the photoconductance, and in the refractive index were observed in the CdSe layers as a result of the concentration level of Er in the semiconductor.

Keywords: II–VI semiconductor; Chemical Bath Deposition (CB); rare earths; thin films.

 

Resumen

Peliculas delgadas de CdSe fueron depositadas por baño químico sobre substratos de vidrio e impurificadas con erbio durante el proceso de crecimiento a 70°C. Ocho niveles de impurezas fueron obtenidos variando el volumen relativo de la solución de la sal conteniendo Er en la solución total de crecimiento del CdSe. El volumen relativo de la sal de Erbio tuvo los siguientes valores: 2, 5, 8, 10, 15, 18, 25 y 30%. Las propiedades eléctricas, estructurales, ópticas y fotoconductivas fueron caracterizadas. Cambios importantes en la brecha de energía, en la fotoconductividad y en el índice de refracción fueron observados.

Descriptores: Semiconductores II–VI; Baño químico; tierras raras; películas delgadas.

 

PACS: 61.72.Vv; 73.61.Ga; 81.15.Lm

 

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Acknowledgements

The authors wold like to express their gratitud to: SEP–CONACyT, BUAP, INAOE and CINVESTAV México D.F., and B. Alvarado Hidalgo for financial support.

 

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