Investigación

 

Analyse of the lateral surface generation in MOS structures

 

P. Peykov^a , T.Diaz^b and M. Aceves^c

 

^a Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Apartado Postal 51 y 216, 72000 Puebla, Pue., México

^b Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apartado Postal 1651, 72000 Puebla, Pue., México

^c Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Apartado Postal 51 y 216, 72000 Puebla, Pue., México

 

Recibido el 3 de mayo de 2002
aceptado el 23 de mayo de 2003

 

Abstract

In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown.

Keywords: MOS structures; generation lifetime; surface generation velocity.

 

Resumen

En mediciones del tiempo de vida de generación usando el método de Zerbst, se determina el tiempo de vida de generación efectivo. De acuerdo con el modelo usado, este parámetro incluye; el tiempo de vida de generación real, la velocidad de generación en la región superficial de la región de carga espacial (scr) lateral y el diámetro de la compuerta. En este trabajo se muestra que no toda el área, sino solo una parte, de la scr superficial lateral permanece completamente desértica de portadores durante la medida. Se propone una corrección al modelo para tomar en cuenta, solo la contribución efectiva de la velocidad de generación en la scr al proceso de generación. Se muestra también, la influencia de esta corrección, sobre el tiempo de vida de generación obtenida por la técnica Zerbst.

Descriptores: Estructuras MOS; tiempo de vida de generación; velocidad de generación superficial.

 

PACS: 73.40.Ty; 73.25.+1

 

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