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Revista mexicana de física

versión impresa ISSN 0035-001X

Rev. mex. fis. vol.48 no.5 México oct. 2002

 

Investigación

 

Simulación numérica de señales de radiometría fototérmica en mono cristales de silicio

 

I. Campos-Cantón1, M.E. Rodríguez2, Facundo Ruiz3*

 

1 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí 78000 San Luis Potosí, SLP México.

2 Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México 76000 Juriquilla, Qro. México.

3 Instituto Potosino de Investigación Científica y Tecnológica Av. Carranza 2425-A, 78210 San Luis Potosí, S.L.P., México.

 

Recibido el 25 de septiembre de 2001.
Aceptado el 17 de junio de 2002.

 

Resumen

Utilizando el modelo teórico propuesto por Mandelis et al. y mediante simulación numérica, se analiza detalladamente la generación de radiación de cuerpo negro foto-inducida (señal de radiometría fototérmica) en obleas de silicios monocristalino. Se reporta la influencia particular de dicha radiación en cada uno de los principales parámetros físicos involucrados. Los valores utilizados para estos parámetros están dentro de los rangos reportados para obleas de silicio industriales. Se presentan y discuten los resultados obtenidos.

Descriptores: Radiometría fototérmica; conducción de calor; onda de plasma.

 

Abstract

By using the theoretical model proposed by Mandelis et al. and a numerical simulations. We have analysed the generation of photoinduced black body radiation (photothermal radimometry signal) on monocrystalline silicon wafers. We report the particular role of each one of the main parameters involved on the phototermal signal. The parameter values were taken of the reported values for industrial silicon wafers. We show a discuss the obtained results.

Keywords: Photothermal radimometry; heat conduction; phonons.

 

PACS: 44.10.+i;44.40.+a

 

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Referencias

1. M. E. Rodríguez, et al., J. of the Electrochemical Society 147 s-7 (2000) 6.         [ Links ]

2. D. K. Schroder, IEEE Trans. on Electron device 44 (1997) 160.         [ Links ]

3. T. Ikari, A. Salnick and A. Mandelis, J. Appl. Phys 85 (1999) 7392.         [ Links ]

4. A. Mandelis, Solid State Electron 42 (1998) 1.         [ Links ]

5. M. E. Rodríguez, J. A. García, A. Mandelis, Y. Riopel and C. Jean, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2429.         [ Links ]

6. Transforms and Applications Handbook, Editor-in-Chief A. D. Poularikas, The Electrical Engineering Handbook Series, Editor R. C. Dorf (CRC Press, N.Y. 1996)        [ Links ]

 

Nota

* En permiso sabático de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí.

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