Investigación

 

Capture of carriers by quantum wells via optical-phonon deformation potential

 

J. Hernández-Rosas, L. Villegas-Lelovsky and G. González de la Cruz

 

Departamento de Física, CINVESTAV-IPN Apdo. Post. 14-740, México D.F. 07000, México.

 

Recibido el 11 de septiembre de 2001.
Aceptado el 25 de enero de 2002.

 

Abstract

A calculation is reported for the probability of electron capture by a single quantum well that takes into account the quasi-two-dimensional electron system in the quantum well. The influence of continuum resonances, which are localized in the vicinity of the quantum well at energies above the barrier, were considered in the calculations. The scattering rate by optical-phonon deformation potentials as function of the incident electron energy and the well width are discussed.

Keywords: Electron capture rate; quantum well; optical-phonon deformation potential.

 

Resumen

En este trabajo se calcula la probabilidad de captura de un electrón por un pozo cuántico, la cual considera la biodimensionalidad del sistema electrónico en el pozo cuántico. La influencia de los estados resonantes para energías electrónicas mayores que la energía del pozo. Se presenta un análisis de la razón de dispersión de electrones vía fonones en la aproximación del potencial de deformación como función del ancho del pozo cuántico.

Descriptores: Probabilidad de captura electrónica; pozo cuántico, interacción electrón-fonón vía potencial de deformación.

 

PACS: 72.15.Lh, 72.20.Jv

 

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Acknowlegdments

This work was partially supported by Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, (CONACYT), México.

 

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