Abstract

KIEBACH, Ragnar et al. Characterization of Silicon Rich Oxides with Tunable Optical Band Gap on Sapphire Substrates by Photoluminescence, UV/Vis and Raman Spectroscopy. J. Mex. Chem. Soc [online]. 2008, vol.52, n.3, pp.212-218. ISSN 1870-249X.

Se presenta un análisis detallado de las propiedades ópticas de películas delgadas de oxido de silicio rico en silicio (SRO) y los factores que tienen influencia en las propiedades físicas. Películas de SRO con diferente contenido de silicio fueron depositadas por LPCVD (Deposito químico en fase vapor a baja presión-low pressure chemical vapor deposition) sobre substratos de zafiro. Fotoluminiscencia (FL) espectroscopia UV/Vis y Raman se usaron para caracterizar las muestras. Se encontró una intensa emisión en la región azul. La característica más interesante es la banda prohibida óptica, que se correlaciona linealmente con la razón de los reactivos, lo cual permite el ajuste de la banda prohibida. Las influencias de los parámetros como el substrato, contenido de silicio, temperatura y tiempo de recocido en las propiedades ópticas se discuten y los posibles mecanismos de fotoluminiscencia son comparados con los datos experimentales.

Keywords : Óxidos de silicio; propiedades ópticas; fotoluminiscencia.

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