Resumen

NAVARRO, L.A.; PERPINA, X.; VELLVEHI, M.  y  JORDA, X.. Ingenier. mecáni. tecnolog. desarroll [online]. 2012, vol.4, n.3, pp.97-102. ISSN 1665-7381.

La capa de die-attach (unión entre un dispositivo semiconductor y su substrato), es uno de los elementos más críticos de la electrónica de potencia, sobretodo en aplicaciones de alta temperatura. Debido al aumento de la temperatura de operación son necesarios nuevos materiales, con puntos de fusión más altos y propiedades termo-mecánicas adecuadas. Dentro de las posibles soluciones (tecnológicas y nuevos materiales), la sinterización de nano-partículas de Ag, es una solución interesante, ya que sólo requiere una moderada temperatura de proceso (<300 °C). El objetivo de nuestro trabajo es la implementación y evaluación experimental de la técnica de sinterización de nano-partículas de Ag para el die-attach sobre substratos de Cu. La calidad del die-attach se evaluará en vehículos de prueba mediante ensayos de die-shear. En este trabajo presentaremos, el método de procesado, análisis de algunos parámetros que influyen en el proceso y los principales resultados obtenidos tras los procesos de sinterización de nano-Ag.

Palabras llave : nano-sinterizado de plata; die-attach; encapsulado; dispositivos de potencia.

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