Resumen

SAAVEDRA-GOMEZ, H. J. et al. Enhanced RF Characteristics of a 0.5 pm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology. J. appl. res. technol [online]. 2014, vol.12, n.3, pp.471-476. ISSN 2448-6736.

Se presenta una técnica para incrementar el voltaje de ruptura y la frecuencia de transición en dispositivos MOSFET fabricados en una tecnología CMOS estándar (0.5 μm, 5V). Colocando una región de arrastre extendida sobre el drenador, el MOSFET puede alcanzar un mayor voltaje de ruptura. Para mejorar la frecuencia de operación, se modificaron los pads analógico/digital para minimizar el acoplamiento que puede existir hacia el substrato. Ambas mejoras hacen que la estructura propuesta del MOSFET sea adecuada para aplicaciones RF de potencia media. Los resultados experimentales muestran un voltaje de ruptura de 20 V, una IP3 de +30.2 dBm y una mejora del 31.9% y 34.7% en las frecuencias f_T y f_max, respectivamente.

Palabras llave : MOSFET; HVMOS; High Breakdown.

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