Resumo

VERA-MARQUINA, A.; MARTINEZ-CASTILLO, J.; ZALDIVAR-HUERTA, I. E.  e  DIAZ-SANCHEZ, A.. Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver. J. appl. res. technol [online]. 2014, vol.12, n.1, pp.45-51. ISSN 2448-6736.

Este artículo describe la caracterización óptica y eléctrica de un receptor optoelectrónico integrado. El receptor comprende un fotodiodo y un amplificador de transimpedancia, ambos fabricados en silicio utilizando tecnología de proceso BiCMOS de 0.8 μm. El área total utilizada por el fotodiodo es de 10,000 μm². Inicialmente, se mide la fotocorriente generada por el fotodiodo para las longitudes de onda de 780 nm y 830 nm a diferentes niveles de potencia óptica. Posteriormente, se calculan los parámetros de responsividad y eficiencia cuántica del fotodiodo. Finalmente, se realiza una medición eléctrica que involucra al amplificador de transimpedancia. Una aplicación potencial para este receptor optoelectrónico se encuentra en la primera ventana de comunicaciones ópticas

Palavras-chave : Optoelectronic receiver; photodiode; optoelectronic integrated circuit; BiCMOS.

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