Resumo

FIGUEROA-REINA, T. et al. Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia. Superf. vacío [online]. 2015, vol.28, n.1, pp.1-4. ISSN 1665-3521.

En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas $\left(\mathrm{\tau }\right)$en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia (FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un sustrato de GaAs por medio de la técnica de epitaxia de haces moleculares, mientras que la muestra de GaAs es un monocristal comercial. Los espectros de FR fueron tomados variando la frecuencia del haz modulador para valores comprendidos desde 80Hz hasta 3000Hz. Del respectivo análisis de los espectros de FR, se obtuvo la dependencia de la intensidad de la señal de Fotorreflectancia con la frecuencia de modulación. A partir del ajuste de los datos experimentales de la variación de la intensidad de la señal de FR con la frecuencia de modulación, se logró determinar que la presencia de los PCAs incrementan el valor de$\mathrm{\tau }$.

Palavras-chave : Fotorreflectancia; Puntos cuánticos; InAs; GaAs; Tiempo de llenado de trampas.

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