Resumo

CASTILLO-OJEDA, R.; GALVAN-ARELLANO, M.  e  DIAZ-REYES, J.. Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores. Superf. vacío [online]. 2013, vol.26, n.4, pp.120-125. ISSN 1665-3521.

En este trabajo se discute la utilización de un sistema de deposición de capas epitaxiales semiconductoras del tipo MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), distinto a los convencionales que utilizan arsina como precursor del arsénico. En el sistema de crecimiento utilizado se ha sustituido la arsina por arsénico elemental, el cual es fácilmente manejable, sin los peligros que presenta la manipulación de cilindros de alta presión de arsina. Como consecuencia de la sustitución de la arsina por arsénico sólido, la cinética de incorporación de las especies sobre la superficie de crecimiento es severamente modificada, de tal forma, que la incorporación de impurezas tales como carbono y oxígeno se incrementa, deteriorando de esta manera las propiedades físicas de los materiales crecidos. En este trabajo hacemos un estudio sobre los efectos del uso del arsénico como precursor, a la vez que presentamos los resultados obtenidos durante la elaboración de una estructura cuántica mediante este sistema no convencional. Para la evaluación de las características ópticas de las muestras se midió fotoluminiscencia a baja temperatura, la existencia del pozo cuántico está apoyada por mediciones del perfil de concentración mediante espectroscopia de masas de iones secundarios (SIMS), y por último, se presentan imágenes de microscopía de fuerza atómica (AFM) para el estudio de la rugosidad superficial.

Palavras-chave : MOCVD; Arsénico elemental; Pozo cuántico.

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